[发明专利]氮化物半导体LED有效
| 申请号： | 200910172051.1 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101656288A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 led | ||
1.一种氮化物半导体发光二极管，包含：
衬底；
形成在所述衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层；
形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；
形成在所述第一电极层上的InxGa1-xN层；
形成在所述InxGa1-xN层上的有源层；
形成在所述有源层上的第一P-GaN层；
形成在所述第一P-GaN层上的第二电极层；
部分突出在所述第二电极层上的第二P-GaN层；
在所述第二P-GaN层上的第三电极层，
其中所述有源层包括阱层和在所述阱层上的势垒层。
2.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二 电极层是其铟含量顺序变动的超梯度InxGa1-xN层。
3.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第三 电极层是N-型氮化物半导体。
4.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一电 极层是硅和铟共掺杂的GaN层。
5.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中利用选自 AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGa1-xN/GaN分 层结构和AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN分层结构中的一种来形成 所述缓冲层。
6.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述 InxGa1-xN层之下和之上分别形成的第一SiNx簇层和第二SiNx簇层。
7.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中在所述阱层 和所述势垒层之间形成第三SiNx簇层，
所述阱层和所述势垒层具有包含InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN势垒 层的多量子阱结构或单量子阱结构。
8.根据权利要求7的氮化物半导体发光二极管，包含在所述 InyGa1-yN阱层和所述InzGa1-zN势垒层之间形成的GaN覆盖层。
9.根据权利要求7的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所述 InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN势垒层中的铟含量和掺杂到所述InxGa1-xN 层中的铟含量分别具有0＜x＜0.1、0＜y＜0.35和0＜z＜0.1的值。
10.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述有 源层和所述第一P-GaN层之间形成的SiNx簇层。
11.根据权利要求2的氮化物半导体发光二极管，其中所述超梯度 InxGa1-xN层具有0＜x＜0.2的范围。
12.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二 电极层和/或所述第三电极层具有InGaN/InGaN或 InGaN/AlInGaN超晶格结构。
13.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述 InxGa1-xN层是具有低铟含量的低摩尔InxGa1-xN层。
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