[发明专利]2端子型半导体传感器装置有效
申请号: | 200910172063.4 | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN101660928A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 安斎亮一 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | G01D5/14 | 分类号: | G01D5/14;G01K7/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 何欣亭;王丹昕 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 端子 半导体 传感器 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于测定温度或压力等物理量的半导体传感器装置, 具体涉及仅用两个外部端子与外部装置连接的2端子型半导体传感器 装置。
背景技术
关于传统的2端子型半导体传感器装置,以温度传感器为例进行 说明。图6是表示传统2端子型半导体温度传感器装置的电路图。
NPN双极型晶体管91基于温度,使基极和发射极之间发生电压 Vbe1。此外,NPN双极型晶体管92基于这时的温度,使基极和发射 极之间发生电压Vbe2。这样就会在电阻93上发生电压Vbe2与电压 Vbe1的差分电压ΔVbe。基于差分电压ΔVbe及电阻93的电阻值,电 阻93令基于这时温度的电流流过。该电流流入PNP双极型晶体管94 和NPN双极型晶体管91和电阻93。此外,该电流通过由PNP双极 型晶体管94~95构成的电流镜(Current Mirror)电路,还流入PNP 双极型晶体管95及NPN双极型晶体管92。因而,基于这时的温度, 2端子型半导体传感器装置以流入PNP双极型晶体管94~95的电流 为输出电流It加以输出(例如,参照专利文献1:日本特公昭63- 041013号公报(图1))。
外部装置通过使输出电流It流过电阻等而变换为电压,将该电压 作为传感器的测定值。
但是,如果接受输出电流It的外部装置侧用于接受输出电流It的 电阻等的精度低,在外部装置中不会正确地变换为电压。
发明内容
本发明鉴于上述课题构思而成,提供不依赖外部装置的电路或元 件的精度的2端子型半导体传感器装置。
为了解决上述课题,本发明的用两个端子与外部装置连接的2端 子型半导体传感器装置,其特征在于具备:与外部装置和共同的接地 电位连接的第一外部端子;从外部装置被输入动作电流的第二外部端 子;测定一个物理量并输出基于物理量的电压的传感器电路;对第一 外部端子和第二外部端子间的电压进行分压并输出分压电压的分压 电路;将传感器电路的输出电压和分压电压输入并输出基于其差值的 电压的差动放大电路;以及输出晶体管,该输出晶体管的栅极与差动 放大电路的输出端子连接,漏极和源极与第一外部端子和第二外部端 子连接。
(发明效果)
在本发明中,通过上述那样的结构,2端子型半导体传感器装置 的输出电压是通过分压电路的电阻比及基于一个物理量的电压来确 定的。即,能够提供不受外部装置的输入端子的电路或元件的精度影 响的、高精度的2端子型半导体传感器装置。
附图说明
图1是表示本发明的2端子型半导体传感器装置的电路图。
图2是表示其它具备温度传感器电路的2端子型半导体传感器装 置的电路图。
图3是表示其它具备温度传感器电路的2端子型半导体传感器装 置的电路图。
图4是表示其它具备温度传感器电路的2端子型半导体传感器装 置的电路图。
图5是基于温度的发射极电压及发射极电流的示意图。
图6是表示传统2端子型半导体温度传感器装置的电路图。
具体实施方式
以下,以半导体温度传感器为例子,参照附图就本发明的2端子 型半导体传感器装置进行说明。图1是表示本发明的2端子型半导体 传感器装置的电路图。
2端子型半导体传感器装置具备恒流电路10、温度检测电路20、 电阻30~40、差动放大电路50及输出晶体管60。此外,2端子型半 导体传感器装置具备外部端子61~62。
恒流电路10具有恒流源11及PMOS晶体管12~13。温度检测电 路20具有PNP双极型晶体管21。
恒流电路10设置在外部端子62与外部端子61之间,输出端子与 差动放大电路50的反相输入部端子连接。温度检测电路20设置在差 动放大电路50的反相输入端子与外部端子61之间。电阻30的一端 与外部端子62连接,另一端与差动放大电路50的非反相输入端子连 接。电阻40的一端与差动放大电路50的非反相输入端子连接,另一 端与外部端子61连接。差动放大电路50设置在外部端子62与外部 端子61之间。输出晶体管60的栅极与差动放大电路50的输出端子 连接,源极与外部端子61连接,漏极与外部端子62连接。外部端子 62与外部端子72连接。外部端子61与外部端子71连接。
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