[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，在半导体层上形成有屋檐型栅极电极， 其特征在于：

将形成有所述屋檐型栅极电极的区域设为晶体管有源区域时，在 整个该晶体管有源区域中，具备设置在所述屋檐型栅极电极上的第一 保护膜，该第一保护膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，

在包括所述屋檐型栅极电极的伞下在内的所述屋檐型栅极电极 附近，在所述半导体层与所述第一保护膜之间形成有空隙，

所述空隙在所述晶体管有源区域端上被第二保护膜包围，

所述第二保护膜由高耐湿性膜构成，是覆盖所述空隙的端面而用 于防止湿气的侵入的保护膜，

所述第二保护膜形成为仅存在于所述空隙的端面部分，或者形成 为覆盖包括所述空隙的端面在内的整个所述晶体管有源区域。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述第一 保护膜及所述第二保护膜的至少任意一个由SiNx膜构成。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于：所述 屋檐型栅极电极为T型、Y型或Γ型栅极电极。

4.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于具备：

在半导体层上定义的晶体管有源区域形成屋檐型栅极电极的步 骤；

将利用湿蚀刻法能够容易除去的低抗蚀性膜，层叠在所述屋檐型 栅极电极周围及所述半导体层表面的步骤；

在所述低抗蚀性膜上，层叠包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或 有机膜的第一保护膜的步骤；

除去所述晶体管有源区域外的所述第一保护膜及所述低抗蚀性 膜的步骤；

利用湿蚀刻法来除去所述晶体管有源区域内的所述低抗蚀性膜， 在所述屋檐型栅极电极周围，在所述半导体层与所述第一保护膜之间 形成空隙的步骤；以及

通过层叠第二保护膜来堵住所述空隙与外界连接的部分的步骤，

所述第二保护膜由高耐湿性膜构成，是覆盖所述空隙的端面而用 于防止湿气的侵入的保护膜，

所述第二保护膜形成为仅存在于所述空隙的端面部分，或者形成 为覆盖包括所述空隙的端面在内的整个所述晶体管有源区域。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于：

所述低抗蚀性膜是能够用显影液容易除去的膜，

所述利用湿蚀刻法来除去的工序是通过使显影液浸入所述半导 体层与所述第一保护膜之间来进行的。

6.如权利要求4所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于：

所述低抗蚀性膜是随着温度上升而熔解流出的具有可塑性的膜，

所述利用湿蚀刻法来除去的工序是通过至少提升所述半导体层 与所述第一保护膜之间的温度来进行的。