[发明专利]玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法及沉积室无效

专利信息
申请号: 200910172569.5 申请日: 2009-11-16
公开(公告)号: CN101719528A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 靳瑞敏;李定珍;王玉苍;郭新峰 申请(专利权)人: 靳瑞敏
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C14/18;C23C14/24
代理公司: 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 代理人: 庄振乾
地址: 473000 河南省南阳市长江路*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 衬底 光控 制备 薄膜 太阳能电池 方法 沉积
【权利要求书】:

1.一种玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法,其特征在于是按 下述步骤制备而成:

(1)、以标准工艺清洗的带有织构的透明导电膜的玻璃为衬底;

(2)、将清洗过的玻璃衬底置于沉积室中,用所需频率的光照,依次用等 离子体反应沉积,制备稳定均匀的p、i、n层硅薄膜太阳能电池,用频率为 1.2×1014Hz和2×1015Hz照射;光照退火时间2-70分钟,不同的频率的光子 能量不同,产生不同性质的多晶硅薄膜,在真空状态下自然冷却到室温;

(3)、然后取出,然后再蒸镀金属电极铝,电池电极从透明导电膜和铝引 出,这样就在玻璃衬底上制备硅薄太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述沉积和光照的步骤可以在沉积室内沉积、光照退火一次完成。

3.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述沉积和光照的步骤可以根据需要在沉积室内沉积、光照退火 交替多次进行。

4.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述光照退火处理过程中的最高温度应稍微高于玻璃软化点温度, 这样可以使玻璃软化,与硅膜因处理过程中产生的变化相适应。

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