[发明专利]玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法及沉积室无效
申请号: | 200910172569.5 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN101719528A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 靳瑞敏;李定珍;王玉苍;郭新峰 | 申请(专利权)人: | 靳瑞敏 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/18;C23C14/24 |
代理公司: | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 庄振乾 |
地址: | 473000 河南省南阳市长江路*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 衬底 光控 制备 薄膜 太阳能电池 方法 沉积 | ||
1.一种玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法,其特征在于是按 下述步骤制备而成:
(1)、以标准工艺清洗的带有织构的透明导电膜的玻璃为衬底;
(2)、将清洗过的玻璃衬底置于沉积室中,用所需频率的光照,依次用等 离子体反应沉积,制备稳定均匀的p、i、n层硅薄膜太阳能电池,用频率为 1.2×1014Hz和2×1015Hz照射;光照退火时间2-70分钟,不同的频率的光子 能量不同,产生不同性质的多晶硅薄膜,在真空状态下自然冷却到室温;
(3)、然后取出,然后再蒸镀金属电极铝,电池电极从透明导电膜和铝引 出,这样就在玻璃衬底上制备硅薄太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述沉积和光照的步骤可以在沉积室内沉积、光照退火一次完成。
3.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述沉积和光照的步骤可以根据需要在沉积室内沉积、光照退火 交替多次进行。
4.根据权利要求1所述的玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法, 其特征在于:所述光照退火处理过程中的最高温度应稍微高于玻璃软化点温度, 这样可以使玻璃软化,与硅膜因处理过程中产生的变化相适应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的