[发明专利]一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统有效

专利信息
申请号: 200910172953.5 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN101694563A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市10*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 布置 多掩模 光刻 硅片 系统
【权利要求书】:

1.一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统,该系统含有基台(1),至少一个硅片台,一组光学透镜(4)和掩模台系统,其特征在于:所述的掩模台系统包括掩模台基座(5)、掩模承载运动台(6)和掩模承载台(7),所述的掩模台基座(5)的长边为Y方向,短边为X方向,掩模承载运动台(6)在掩模台基座(5)上沿Y方向作直线运动,掩模承载台(7)在掩模承载运动台(6)上沿X方向作直线运动;在掩模承载台(7)上设有多个掩模版安装槽,多个掩模版安装槽呈阵列布置,每个掩模版安装槽内放置一块掩模版;

在进行扫描曝光工序时,根据硅片的尺寸,预先在待刻硅片上划分出若干区域,每个这样的区域称为一个场,在曝光每一个场的过程中,首先,掩模承载运动台(6)沿着Y方向向右运动,第一掩模版(8a)和第二掩模版(8b)依次经过投影区,但只有第一掩模版(8a)被扫描,同时地,硅片台做与掩模承载运动台(6)的反向运动,沿着Y方向向左运动,此时,第一掩模版(8a)的图案刻在硅片上,掩模承载台(7)减速反向,同时,冷却装置使硅片上的光刻胶急速冷却,之后,硅片台减速反向;然后,掩模承载运动台(6)沿着Y方向向左运动,第二掩模版(8b)、第一掩模版(8a)依次再经过投影区,此时只有第二掩模版(8b)被扫描,同时地,硅片台仍做与掩模承载运动台的反向运动,沿着Y方向向右运动,此时第二掩模版(8b)图案刻在硅片上,至此完成了一个场一层图形的扫描曝光,掩模承载运动台(6)减速反向,同时掩模承载台沿X方向移动使第三掩模版(8c)和第四掩模版(8d)进入投影区,同时,冷却装置使硅片上的光刻胶急速冷却,之后,硅片台减速反向等待下一次扫描,这次运动与扫描第一掩模版(8a)和第二掩模版(8b)时相同;当四块掩模版都扫描完成后,硅片台步进至下一场继续曝光,依次循环。

2.按照权利要求1所述的一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统,其特征在于:多个掩模版安装槽呈矩形阵列布置。

3.按照权利要求1所述的一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统,其特征在于:所述的掩模承载运动台(6)在掩模台基座(5)上沿Y方向作直线运动采用气浮导轨和直线电机做导向驱动,或采用直线导轨、滚珠丝杠和伺服电机做导向驱动;掩模承载台(7)在掩模承载运动台(6)上沿X方向作直线运动采用气浮导轨和直线电机做导向驱动,或采用直线导轨、滚珠丝杠和伺服电机做导向驱动。 

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