[发明专利]形成保护层的材料、保护层及等离子体显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及用于等离子体显示面板的保护层、包括该保护层的等离子体显示面板以及制备该保护层的方法。

背景技术

等离子体显示面板(PDP)的常规保护层包括通过在氧化镁薄膜上涂敷氧化镁粉末而形成的双层，其中氧化镁粉末通过气相沉积来制备。具体地，通过在腔室中加热镁以及将诸如氧气(O₂)、氢气(H₂)或氩的气体注入到腔室中并进行氧化来制备用于形成常规保护层的氧化镁粉末。如上所述制备的氧化镁粉末有许多的缺陷和相对多的杂质。

本发明的实施例克服了相关技术中的问题并提供了额外的优点。

发明内容

一些实施例涉及由以下方法制备的MgO粉末，该方法包括：在空气中将Mg加热到足以产生Mg蒸汽的温度；使Mg与空气反应并自然氧化以产生MgO粉末，其中氧化镁粉末具有在约300nm到约370nm波长的阴极发光光谱第一发射峰和在约600nm到约640nm波长的第二发射峰，以及其中第一发射峰与第二发射峰的强度比从约1∶0.4到约1∶0.6。

在一些实施例中，MgO包括镍(Ni)、铁(Fe)、硼(B)、硅(Si)、锰(Mn)、铬(Cr)、钙(Ca)、铜(Cu)、锆(Zr)、铝(Al)和钠(Na)，每个的重量比小于2ppm。

一些实施例还包括在约700nm到约800nm波长的第三发射峰，其中第一发射峰与第三发射峰的强度比从约1∶0.25到约1∶0.45。

一些实施例涉及一种保护层，该保护层包括：MgO，该MgO具有阴极发光光谱的在约300nm到约370nm波长的第一发射峰和在约600nm到约640nm波长的第二发射峰，其中第一发射峰与第二发射峰的强度比从约1∶0.4到约1∶0.6。

在一些实施例中，MgO包括镍(Ni)、铁(Fe)、硼(B)、硅(Si)、锰(Mn)、铬(Cr)、钙(Ca)、铜(Cu)、锆(Zr)、铝(Al)和钠(Na)，每个的重量比小于2ppm。

一些实施例还包括，其中氧化镁粉末具有在约700nm到约800nm波长的第三发射峰，其中第一发射峰与第三发射峰的强度比从约1∶0.25到约1∶0.45。

一些实施例涉及一种等离子体显示面板，该等离子体显示面板包括：前面板，光穿过该前面板发射到PDP的外部；后面板，磷光体设置在该后面板上；多个透明电极，设置在前玻璃基板上；汇流电极，设置在透明电极上并平行于透明电极；前电介质层，构造为覆盖透明电极和汇流电极；保护层，构造为覆盖前电介质层；以及放电气体，其中保护层包括MgO，该MgO具有阴极发光光谱的在约300nm到约370nm波长的第一发射峰和在约600到约640nm波长的第二发射峰，其中第一发射峰与第二发射峰的强度比从约1∶0.4到约1∶0.6。

在一些实施例中，保护层包括第一保护部分和第二保护部分，其中第一保护部分包括多晶氧化镁，其中第二保护部分包括MgO。

在一些实施例中，第二保护部分不规则地形成在第一保护部分上。

在一些实施例中，第二保护部分的最大强度是第一保护部分的最大强度的约0.5到约10倍。

在一些实施例中，第一保护部分包括多晶氧化镁，该多晶氧化镁具有在约380nm到约400nm波长的阴极发光光谱发射峰。

在一些实施例中，MgO包括镍(Ni)、铁(Fe)、硼(B)、硅(Si)、锰(Mn)、铬(Cr)、钙(Ca)、铜(Cu)、锆(Zr)、铝(Al)和钠(Na)，每个的重量比小于2ppm。

一些实施例还包括，其中氧化镁粉末具有在约700nm到约800nm波长的第三发射峰，其中所述第一发射峰与第三发射峰的强度比从约1∶0.25到约1∶0.45。

在一些实施例中，第二保护部分基本覆盖第一保护部分的整个上表面(top surface)。

在一些实施例中，通过从图案化和注入印刷(inject printing)组成的组中选出的一种方法来形成第二保护部分。

在一些实施例中，放电气体包括Xe。

在一些实施例中，放电气体包括约10％Xe。

附图说明

通过参照附图对本发明的示范性实施例进行详细描述，本发明的上述和其它的特征以及优点将变得更加明显，附图中：

图1是根据实施例的等离子体显示面板(PDP)的分解透视图；

图2是图1的PDP的沿线I-I’得到的截面图；

图3A和图3B是示出形成每个保护层的材料的阴极发光光谱的曲线图；

图4A和图4B是根据实施例的保护层的SEM图像；