[发明专利]氧化的共形覆盖层无效
| 申请号： | 200910173342.2 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685639A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | S·D·哈克尼斯四世;Z·S·吴 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/72;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项 丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 覆盖层 | ||
1、一种磁记录介质，包括：
衬底；
位于衬底上的颗粒磁性层；
位于颗粒磁性层上的覆盖层；和
位于覆盖层上的保护覆层，该保护覆层包含碳和硅中的至少一种，
其中，所述覆盖层包含具有低于2600K的玻璃化转变温度和低于2.6J/m2的表面能的材料。
2、如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述覆盖层包含钝化性 氧化物。
3、如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述材料包含Ti、Cr、 Ta、Ag、Cu和其氧化物中的至少一种。
4、如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述材料包含TiO2和 TiCr中的至少一种。
5、一种方法，包括：
在磁记录层上沉积材料以形成覆盖层，其中，所述材料具有低于2600K的 玻璃化转变温度和低于2.6J/m2的表面能；和
在所述覆盖层上沉积硅或碳中的至少一种以形成保护覆层。
6、如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在磁记录层上沉积材料以 形成覆盖层包括在磁记录层上沉积材料，而后在该材料已被沉积在磁记录层上 后氧化该材料。
7、如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述材料包括氧化物材料，其 中，所述磁记录层上沉积材料以形成覆盖层包括将材料直接沉积在磁记录层上 而形成覆盖层，其通过将氧化物材料溅射在磁记录层上来实现。
8、如权利要求5、6或7所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包含钝化 性氧化物层。
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