[发明专利]制造具有应力消除层的传感器装置的方法

权利要求书

1.一种传感器装置的制造方法，所述传感器装置具有带集成敏感结构(2)和集成电路(3)的芯片(5)，并且其中所述电路(3)包括半导体电子元件，尤其是非线性和/或有源电子元件，所述方法包括以下步骤：

将围绕所述敏感结构(2)的缓冲层(6)集成到所述芯片(5)的表面上，

提供模子(8，9)，所述模子(8，9)限定出内部空间(10)并且具有延伸到所述内部空间(10)内的部分(11)，

将所述芯片(5)放入所述模子(8，9)中，使得所述部分(11)紧靠所述缓冲层(6)，

将硬化材料引入所述模子(8，9)中以在所述芯片(5)上铸造壳体(10)，

在所述材料至少部分地硬化后，移除所述部分(11)，由此形成延伸到所述敏感结构(2)内的通道开口(15)，

其特征在于所述缓冲层(6)覆盖所述半导体电子元件的至少一部分，尤其是所述非线性和/或有源电子元件的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层(6)覆盖所述集成电路(3)的至少一个晶体管和/或二极管。

3.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述集成电路(3)包括模拟电路(3)，并且其中所述缓冲层(6)覆盖所述模拟电路(3)的至少一部分。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述缓冲层(6)至少覆盖所述模拟电路(3)的放大器。

5.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)覆盖振荡器的至少一部分。

6.如前述权处要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)覆盖至少一个带隙电路。

7.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)覆盖基准电压发生器的至少一部分。

8.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)覆盖温度传感器的至少一部分。

9.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)具有至少10μm的高度。

10.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)包括树脂体系。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述树脂为光敏感的，并且通过微光刻来构造。

12.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)包括光致抗蚀剂并且通过微光刻来构造，和/或其中所述缓冲层(6)通过印刷技术被施加，尤其是通过模板印刷或丝网印刷来施加。

13.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层(6)比SiN和SiO₂更有弹性，并且特别地，其中所述缓冲层(6)的杨氏模量小于10GPa。

14.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述芯片(5)从晶片上切割，并且其中多个所述芯片(5)被一起制造在单个晶片(1)上，随后所述晶片(1)被切割成所述芯片(5)，并且其中在切割所述晶片之前所述缓冲层(6)被施加到所述晶片上。

15.如权利要求14所述的方法，其中在切割所述晶片之前，通过在所述敏感结构(2)的位置处至少部分地移除所述缓冲层(6)，在所述晶片上构造所述缓冲层(6)。

16.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述芯片(5)被设置在引线框(7)上，并且在所述引线框(7)上被安装进所述模子(8，9)中。