[发明专利]发光二极管元件的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管元件的制造方法，包括：

提供一第一基底；

形成并图案化一掩模层于该第一基底上，产生一图案化掩模层；

形成一第一接触层于该图案化掩模层之上，使得该第一接触层与该图案 化掩模层之间具有一空气间隙，并且该第一接触层的一部分与该第一基底直 接接触；

形成一发光二极管结构，其中该第一接触层为该发光二极管结构的一接 触层；

形成一第二基底于该发光二极管结构上，该第二基底具有导电性；以及

将该图案化掩模层及该第一基底移除，使得该发光二极管结构与该第一 基底分离。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该第一接 触层于该第一基底之上的步骤包括：

形成一种子区于该图案化掩模层内的一个或一个以上的开口中，该种子 区突出于该图案化掩模层；以及

从该种子区侧向性地生长一侧向区，该侧向区延伸至该图案化掩模层之 上。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，还包括形成一光反 射层于该发光二极管结构上。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该第二基 底的步骤包括电镀。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该导电性 第二基底的步骤包括形成一掺杂的硅层于该发光二极管结构之上。

6.一种发光二极管元件的制造方法，包括：

提供一第一基底；

形成并图案化一掩模层于该第一基底的一第一侧上，产生一图案化掩模 层；

形成一第一接触层于该图案化掩模层之上，使得该第一接触层与该图案 化掩模层之间具有一空气间隙，并且该第一接触层的一部分与该第一基底直 接接触；

形成一发光二极管结构，其中该第一接触层为该发光二极管结构的一接 触层；

形成一第二基底于该发光二极管结构之上，位于该发光二极管结构的一 相对于该第一基底的相反侧上；以及

将该图案化掩模层及该第一基底移除，其中经由一湿式蚀刻工艺将该第 一基底从该发光二极管结构分离。

7.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该发光二 极管结构的步骤包括：

形成多个种子区于该图案化掩模层内的多个开口中，所述多个种子区突 出于该图案化掩模层；以及

从所述多个种子区侧向性地生长多个侧向区，所述多个侧向区延伸至该 图案化掩模层之上。

8.如权利要求7所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成所述多个 种子区以及侧向性地生长该第一接触层的步骤包括一选择性金属有机化学 气相沉积工艺。

9.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，其中该发光二极管 结构包括：

一发光层于一第一接触层之上；

一第二接触层于该发光层之上；以及

一反射层于该第二接触层之上，其中该反射层具有导电性，且提供电性 接触至该第二接触层。

10.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，其中位于该发光二 极管结构之上的该第二基底具有导电性。

11.如权利要求10所述的发光二极管元件的制造方法，其中在该发光二 极管结构之上形成该第二基底的步骤包括电镀。

12.如权利要求10所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该第二 基底的步骤包括接合一掺杂的硅层至该发光二极管结构。