[发明专利]半导体存储装置及其操作方法无效

专利信息
申请号: 200910173693.3 申请日: 2009-09-15
公开(公告)号: CN101887746A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 卢光明;徐雨玹 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;G11C11/4063;G11C11/413
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杨林森;康建峰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,包括:

多个存储单元,被配置成储存具有与流过源极线及位线的电流的方向相对应的极性的数据;及

预充电驱动单元,被配置成在数据被储存于存储单元中之前、响应于预充电信号而将所述位线预充电至对应于数据的电压。

2.如权利要求1的半导体存储装置,其中所述预充电驱动单元包括:

电压供应单元,被配置成将对应于数据的电压供应给所述预充电电压端子;及

电压驱动单元,连接至所述预充电电压端子,且被配置成响应于所述预充电信号而将所述位线驱动至预充电电压。

3.如权利要求1的半导体存储装置,其中所述存储单元共享所述源极线。

4.如权利要求1的半导体存储装置,其中所述半导体存储单元各自包括:

切换单元,被配置成响应于地址而执行切换操作;及

磁性隧道结器件,连接至所述切换单元。

5.如权利要求1的半导体存储装置,进一步包括写入驱动单元,所述写入驱动单元被配置成响应于数据而驱动所述源极线及所述位线。

6.一种半导体存储装置,包括:

多个存储单元,被配置成储存具有与流过源极线及位线的电流的方向相对应的极性的数据;及

第一驱动单元,被配置成响应于数据而驱动所述源极线;

第二驱动单元,被配置成响应于数据而驱动所述位线;及

传送单元,被配置成响应于预充电信号而将第一驱动单元的输出电压传送至所述位线。

7.如权利要求6的半导体存储装置,其中所述传送单元及第一驱动单元在数据储存于存储单元中之前被操作。

8.如权利要求6的半导体存储装置,其中所述存储单元共享所述源极线。

9.如权利要求6的半导体存储装置,其中所述半导体存储单元各自包括:

切换单元,被配置成响应于地址而执行切换操作;及

磁性隧道结器件,连接至所述切换单元。

10.一种半导体存储装置的操作方法,该方法包括:

响应于预充电信号而将位线预充电至对应于数据的电压;

响应于数据而驱动源极线及所述位线;及

在相应存储单元处储存具有与流过所述源极线及所述位线的电流的方向相对应的极性的数据。

11.如权利要求10的方法,其中对位线预充电包括:

将预充电电压端子驱动至对应于数据的电压;及

响应于所述预充电信号而将所述位线驱动至所述预充电电压端子的电压。

12.如权利要求10的方法,其中所述源极线及所述预充电电压端子被驱动至相同电压。

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