[发明专利]像素单元、图像传感器、系统及形成像素单元的方法有效
申请号: | 200910173854.9 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN101677106A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 李景镐;郑光一;安正卓;金利泰;文敬植;金范锡;奇永培;李东永;郑泰燮;李康仙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H04N3/15;H04N5/335 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 图像传感器 系统 形成 方法 | ||
1.一种像素单元,所述像素单元包括:
基底;
外延层,具有凸出形状的掺杂浓度曲线,外延层包括堆叠在基底上的至 少一个层;
光电转换装置,在外延层中,
其中,外延层包括:
第一导电性类型的第一外延层,在基底上,具有第一掺杂浓度;
第一导电性类型的第二外延层,在第一外延层上,具有高于第一掺杂浓 度的第二掺杂浓度;
第一导电性类型的第三外延层,在第二外延层上,具有低于第二掺杂浓 度的第三掺杂浓度,
其中,第二外延层在第一外延层和第三外延层之间。
2.如权利要求1所述的像素单元,其中,在第一外延层中不存在沿垂直 方向电势恒定的中性区域。
3.如权利要求1所述的像素单元,其中,光电转换装置包括在外延层中 的光电二极管区域,光电二极管区域的导电性类型与外延层的其余部分的导 电性类型相对。
4.如权利要求3所述的像素单元,其中,光电转换装置还包括在光电二 极管区域上的表面层,表面层的导电性类型与外延层的导电性类型相同。
5.如权利要求1所述的像素单元,其中,第三掺杂浓度小于等于第一掺 杂浓度。
6.如权利要求1所述的像素单元,其中,基底具有第一导电性类型。
7.如权利要求1所述的像素单元,其中,光电转换装置为光电二极管。
8.如权利要求1所述的像素单元,所述像素单元还包括:
传输晶体管,被构造为将由光电转换装置产生的电荷传输到第一结点;
源极跟随器晶体管,被构造为放大第一结点的电压信号;
复位晶体管,被构造为复位第一结点的电压信号。
9.如权利要求8所述的像素单元,所述像素单元还包括:
行选择晶体管,被构造为响应于选择信号将源极跟随器晶体管的输出信 号输出到输出端。
10.一种图像传感器,包括:
行驱动器,被构造为产生行选择信号;
列驱动器,被构造为产生列选择信号;
像素阵列,被构造为响应于行选择信号和列选择信号而操作,像素阵列 包括至少一个如权利要求1所述的像素单元。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中,在第一外延层中不存在沿 垂直方向电势恒定的中性区域。
12.如权利要求10所述的图像传感器,其中,光电转换装置包括在外延 层中的光电二极管区域,光电二极管区域的导电性类型与外延层的其余部分 的导电性类型相对。
13.如权利要求10所述的图像传感器,其中,第三掺杂浓度小于等于第 一掺杂浓度。
14.如权利要求10所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:
采样保持电路,被构造为响应于列驱动器的输出信号输出像素复位信号 和像素图像信号;
差分放大器,被构造为基于像素复位信号和像素图像信号对每个像素单 元产生差分信号;
模数转换器,被构造为使差分信号数字化;
图像处理器,被构造为对数字化的差分信号执行图像处理,以输出图像 数据。
15.一种包括处理器和图像传感器的系统,其中,
图像传感器结合到处理器,图像传感器包括至少一个如权利要求1所述 的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的