[发明专利]粉体的合成方法以及电子部件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200910174153.7 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101712557A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 黄锦涛;井村友哉;中畑功;增泽清幸 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/626 分类号: C04B35/626;C04B35/468;H01G4/12;B82B3/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 合成 方法 以及 电子 部件 制造
【权利要求书】:

1.一种粉体的合成方法,其特征在于,使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂,通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境,

将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场,使粉体原料在该反应场中停留预定时间,生成粉体微粒。

2.根据权利要求1所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述溶剂含有在超临界状态下能够溶解于水的有机溶剂。

3.一种电子部件的制造方法,其特征在于,制造包含电子材料作为构成元件的电子部件,所述电子材料是使用通过权利要求1所述的粉体的合成方法生成的粉体微粒制得的。

4.一种粉体的合成方法,其特征在于,包括:

第1工序:将原料和在比仅有水时更低压力和更低温度下处于超临界状态的溶剂混合而制得的原料浆料加压和加热;

第2工序:将加压和加热后的原料浆料和含水的反应加速剂分别供给到反应通路,并且通过对前述反应通路加压而生成亚临界或者超临界状态的反应环境;

第3工序:将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场,使前述原料浆料在该反应场中停留预定时间生成粉体微粒;和

第4工序:将生成的粉体微粒冷却,使得前述粉体微粒停止生长。

5.根据权利要求4所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述第2工序是将加压和加热后的前述原料浆料以比前述反应加速剂中所含的水更高的体积比供给到反应通路。

6.根据权利要求1或2所述的粉体的合成方法,其特征在于,进一步具有加热前述反应加速剂的工序,

前述第2工序中将加热后的前述反应加速剂供给到前述反应通路。

7.根据权利要求4所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述第2工序是在前述原料浆料与前述反应加速剂混合之前使得前述原料浆料处于超临界状态。

8.根据权利要求4所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述溶剂含有在超临界状态下能够溶解于水的有机溶剂。

9.根据权利要求4所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述反应加速剂含有水。

10.一种电子部件的制造方法,其特征在于,制造包含电子材料作为构成元件的电子部件,所述电子材料是使用通过权利要求4所述的粉体的合成方法生成的粉体微粒制得的。

11.一种粉体的合成方法,其特征在于,包括:

第1工序:至少加热将原料和在比仅有水时更低压力和更低温度下处于超临界状态的溶剂混合而制得的浆料;

第2工序:将含水的反应加速剂混合到加热后的前述浆料中,至少通过加热而生成亚临界状态或者超临界状态的反应环境;和

第3工序:使前述浆料在前述反应环境中停留预定时间生成粉体粒子,并且在经过了前述预定时间后,使得前述粉体粒子停止生长。

12.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,在前述第1工序中,至少加热投入反应容器中的前述浆料,

在前述第2工序中,在至少加热后的前述浆料中加入前述反应加速剂,

在前述第3工序中,通过将前述反应容器内的浆料减压和将前述反应容器内的浆料冷却中的至少一者,使得前述粉体粒子停止生长。

13.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,在前述第1工序中,将前述浆料加压。

14.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,通过将前述反应环境中的浆料冷却和减压,使得前述粉体粒子停止生长。

15.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,在前述浆料中混入加热后的前述反应加速剂。

16.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,边搅拌前述浆料边加入前述反应加速剂。

17.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,在加入前述反应加速剂之前使得浆料处于超临界状态。

18.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述溶剂含有在超临界状态下能够溶解于水的有机溶剂。

19.根据权利要求11所述的粉体的合成方法,其特征在于,前述反应加速剂含有水。

20.一种电子部件的制造方法,其特征在于,制造包含电子材料作为构成元件的电子部件,所述电子材料是使用通过权利要求11项所述的粉体的合成方法生成的粉体微粒制得的。

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