[发明专利]光掩模制造方法以及光掩模无效
申请号: | 200910174246.X | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN101685254A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 佐野道明;早瀬三千彦 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 | ||
1.一种光掩模制造方法,其包括:准备在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯体的工序;对形成在所述遮光膜上的抗蚀剂膜进行构图来形成抗蚀剂图案的工序;将所述抗蚀剂图案作为掩模对所述遮光膜进行蚀刻并形成遮光膜图案的工序;以及对形成的遮光膜图案进行缺陷检查,当存在由过剩物引起的黑缺陷时对该缺陷部分进行修正的工序,该光掩模制造方法的特征在于,
对所述缺陷部分进行修正的工序包括以下工序:
确定所述缺陷部分的工序;
在所述光掩模上再次形成抗蚀剂膜的工序;
在包含所述缺陷部分的规定区域中,进行基于描绘图案数据的图案描绘,在描绘后进行显影来形成修正用抗蚀剂图案的工序,其中所述描绘图案数据是根据所述确定的缺陷部分的位置和形状而制作的;以及
将所述修正用抗蚀剂图案作为掩模来实施蚀刻,去除所述缺陷部分的过剩物的工序,
所述抗蚀剂图案包括第一标记,所述修正用抗蚀剂图案包括第二标记,
所述光掩模制造方法还具有:在形成所述修正用抗蚀剂图案后或者在去除所述缺陷部分的过剩物的工序后的至少任意一方进行检查的工序,
该进行检查的工序包括下述工序:
在形成所述修正用抗蚀剂图案后进行检查的情况下,测定与所述第一标记对应的遮光膜图案的边缘和所述修正用抗蚀剂图案中的第二标记的边缘之间的距离;
在去除所述缺陷部分的过剩物的工序后进行检查的情况下,测定与所述第一标记对应的遮光膜图案的边缘和与所述第二标记对应的遮光膜图案的边缘之间的距离,并检查所述距离是否在规定范围内。
2.根据权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于,
关于所述第一标记和在实施对所述缺陷部分进行修正的工序时形成的所述第二标记,当将其形成在所述透明基板上时,是一个标记的外形包含在另一个标记的外形内部的形状的组合。
3.根据权利要求2所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述第一标记和所述第二标记具有在一个方向和与该方向垂直的方向上均对称的形状的图案。
4.根据权利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于
所述第一标记的外形和所述第二标记的外形是相似形状。
5.根据权利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于
所述第一标记和所述第二标记均包含矩形图案。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述检查工序是通过对所述光掩模照射光并接收其透射光来进行的。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述检查工序是通过对所述光掩模照射光并接收其反射光来进行的。
8.一种在透明基板上具有遮光膜图案的光掩模,该光掩模是通过使用包含描绘工序的构图工序在形成在透明基板上的遮光膜上形成图案从而制造的,该光掩模的特征在于,
该光掩模具有通过包含所述描绘工序的构图而形成在遮光膜上的第一标记,
对形成在该光掩模上的遮光膜图案进行缺陷检查,当存在由过剩物引起的黑缺陷时,通过包含描绘工序的构图来对该缺陷部分进行修正,
所述第一标记是这样的矩形图案:该第一标记与通过包含用于对所述缺陷部分进行修正的第二次描绘工序的构图而形成在遮光膜或抗蚀剂膜上的第二标记之间的关系是一个标记的外形包含在另一个标记的外形内部,使得能够通过测定所述第一标记与所述第二标记之间的距离并检查所述距离是否在规定范围内,来评价第二次描绘的对准偏差。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备