[发明专利]窑变抛釉砖及其生产方法

权利要求书

1.一种抛釉砖的生产方法，其特征在于依次包括以下步骤：

(A)在砖胚上覆盖熔块粉，烧制，形成熔块层；

(B)在所述已烧成的熔块层上覆盖釉层并烧制，烧制时熔块层与釉层发生窑变反应以获得自然 渐变图案；

(C)对所述半成品表层进行抛光处理；

其中所述步骤(A)是根据已制好的网板将调制好的熔块粉覆盖在砖面上形成图案，图案中的凹 陷部分留空，然后进行第一次烧成，烧成温度为950～1050℃，烧成时间为60～90分钟，形 成带有凹陷的熔块层，

所述步骤(B)是根据已制好的网板在所述熔块层的表面印刷第一种釉料，对于凹陷的部位则留 空，然后进行第二次烧成，烧成温度为950～1050℃，烧成时间为60～90分钟，形成釉料与 熔块层反应后形成的窑变釉层；

所述熔块粉为透明或不透明熔块粉，细度范围为80～200目，化学组成用釉式表示如下：

2.根据权利要求1所述的抛釉砖的生产方法，其特征在于：所述生产方法还包括在烧制后的 釉层表面镀上金属层。

3.根据权利要求1所述的抛釉砖的生产方法，其特征在于：还包括在第二次烧制后在所述图 案中的凹陷部分填充另一种釉料，进行第三次烧制，烧成温度为750～950℃，烧成时间为 60～90分钟。

4.根据权利要求1所述的抛釉砖的生产方法，其特征在于：还包括在所述图案中的凹陷部分 填充第二种釉料，并在其上覆盖一透明熔块薄层，进行第三次烧成，烧成温度为750～950℃， 烧成时间为60～90分钟。

5.采用如权利要求1-4之任一所述的抛釉砖的生产方法所生产的抛釉砖。