[发明专利]微结构制造方法

权利要求书

1.一种微结构制造方法，应用于半导体制程，其特征在于，该微结构制造方法包括：

形成内含有一微结构、多个金属电路与一金属连接层的一绝缘层于一硅基底上，其中该微结构与该些金属电路平行并排于该绝缘层内，该金属连接层与该些金属电路电性连接，且该金属连接层外露于该绝缘层表面；

沉积一保护层于该金属连接层与该绝缘层表面；以及

蚀刻悬浮该微结构。

2.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其特征在于，该保护层的材质为一钝化材质或一氧化材质。

3.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其特征在于，沉积该保护层的方法为等离子辅助化学气相沉积、常压化学气相沉积或低压化学气相沉积。

4.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其特征在于，还包含：

在形成该绝缘层的同时，在该微结构周侧形成一金属堆叠；

在沉积该保护层后，蚀刻移除相对应位于该金属堆叠与该微结构上的该保护层；

蚀刻去除该金属堆叠，以形成贯通该绝缘层的一蚀刻空间；

由该蚀刻空间蚀刻该硅基底，使该蚀刻空间延伸至该硅基底；

在该保护层上设置一保护盖；以及

由该硅基底底面蚀刻该硅基底，以使该蚀刻空间贯穿该硅基底令该微结构悬浮。

5.根据权利要求4所述的微结构制造方法，其特征在于，保护盖为一玻璃盖或一硅晶片。

6.根据权利要求4所述的微结构制造方法，其特征在于，该保护盖表面具有一环氧化物。

7.根据权利要求4所述的微结构制造方法，其特征在于，还包含：

移除相对应位于该金属连接层上的该保护盖；

蚀刻去除位于该金属连接层上的保护层，以使该金属连接层外露于该绝缘层表面；以及

利用打线电性连接该金属连接层与一外部导体。

8.根据权利要求7所述的微结构制造方法，其特征在于，保护盖为一玻璃盖或一硅晶片。

9.根据权利要求7所述的微结构制造方法，其特征在于，该保护盖表面具有一环氧化物。

10.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其特征在于，还包含：

在形成该绝缘层的同时，在该微结构周侧形成一金属堆叠；

在沉积该保护层后，蚀刻移除相对应位于该金属堆叠与该微结构上的该保护层；

蚀刻去除该金属堆叠，以形成贯通该绝缘层的一蚀刻空间；以及

由该蚀刻空间蚀刻该硅基底，以使该微结构悬浮。

11.根据权利要求10所述的微结构制造方法，其特征在于，还包含：

在该保护层上设置一保护盖；

移除相对应位于该金属连接层上的该保护盖；

蚀刻去除位于该金属连接层上的保护层，以使该金属连接层外露于该绝缘层表面；以及

利用打线电性连接该金属连接层与一外部导体。

12.根据权利要求11所述的微结构制造方法，其特征在于，保护盖为一玻璃盖或一硅晶片。

13.根据权利要求11所述的微结构制造方法，其特征在于，该保护盖表面具有一环氧化物。

14.一种微结构制造方法，应用于半导体制程，其特征在于，该微结构制造方法包括：

形成内含有一微结构、多个金属电路、多个金属堆叠与一金属连接层的一绝缘层于一硅基底上，其中该微结构与该些金属电路平行并排于该绝缘层内，该些金属堆叠位于该微结构的周侧，该金属连接层与该些金属电路电性连接，且该金属连接层外露于该绝缘层表面；

沉积一保护层于该金属连接层与该绝缘层表面；

蚀刻移除相对应位于该金属堆叠与该微结构上的该保护层；

蚀刻去除该金属堆叠，以形成贯通该绝缘层的一蚀刻空间；

由该蚀刻空间蚀刻该硅基底，使该蚀刻空间延伸至该硅基底；

在该保护层上设置一保护盖；

由该硅基底底面蚀刻该硅基底，以使该蚀刻空间贯穿该硅基底令该微结构悬浮；

移除相对应位于该金属连接层上的该保护盖；

蚀刻去除位于该金属连接层上的保护层，以使该金属连接层外露于该绝缘层表面；以及

利用打线电性连接该金属连接层与一外部导体。

15.一种微结构制造方法，应用于半导体制程，其特征在于，该微结构制造方法包括：

形成内含有一微结构、多个金属电路、多个金属堆叠与一金属连接层的一绝缘层于一硅基底上，其中该微结构与该些金属电路平行并排于该绝缘层内，该些金属堆叠位于该微结构的周侧，该金属连接层与该些金属电路电性连接，且该金属连接层外露于该绝缘层表面；

沉积一保护层于该金属连接层与该绝缘层表面；

蚀刻移除相对应位于该金属堆叠与该微结构上的该保护层；

蚀刻去除该金属堆叠，以形成贯通该绝缘层的一蚀刻空间；

由该蚀刻空间蚀刻该硅基底，以使该微结构悬浮；

在该保护层上设置一保护盖；

移除相对应位于该金属连接层上的该保护盖；

蚀刻去除位于该金属连接层上的保护层，以使该金属连接层外露于该绝缘层表面；以及

利用打线电性连接该金属连接层与一外部导体。