[发明专利]用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法有效

专利信息
申请号: 200910174645.6 申请日: 2009-09-21
公开(公告)号: CN101722447A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: M·克斯坦;G·皮奇;F·伦克尔;C·万贝希托尔斯海姆;H·莫勒 申请(专利权)人: 硅电子股份公司;彼特沃尔特斯有限责任公司
主分类号: B24B7/17 分类号: B24B7/17;B24B7/22;H01L21/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蔡洪贵
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 扁平 工件 双面 处理 装置 半导体 晶片 同时 材料 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种用于扁平工件(1)的双面处理的装置,包括:上工作盘(4b) 和下工作盘(4a),其中,工作盘(4a,4b)中的至少一个工作盘可借助于 驱动部件以转动方式被驱动,工作盘(4a,4b)在它们自身之间形成工作 间隙(64),至少一个承载盘(5)设置在所述工作间隙(64)中,且具有 用于至少一个要被处理的工件(1)的至少一个缺口(25),所述至少一个 承载盘(5)在其圆周上具有齿(10),如果内、外销环(7a,7b)中的至 少一个被使得转动,则所述承载盘借助于所述齿在内、外销环(7a,7b) 上滚动,其中,内、外销环(7a,7b)分别相应地具有多个销结构,承载 盘(5)的齿(10)在滚动过程中与所述销结构啮合,所述销结构中的至少 一个销结构具有至少一个引导部(48),所述引导部(48)限制所述至少一 个承载盘(5)的边沿在至少一个轴向方向上的运动,其中,一个引导部(48) 由在销结构的第一较大直径与第二较小直径之间绕着销结构的圆周延伸的 至少一个肩部(50)形成,另外的引导部(48)由绕着销结构的圆周延伸 的至少一个凹槽(15)的侧表面(56,58)形成。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个凹槽(15) 形成在销结构的较大直径部分处。

3.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,销结构的从肩部(50) 开始的较小直径终止于销结构的自由端中而没有任何直径扩大。

4.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,内、外销环(7a,7b) 中的至少一个销环的销结构分别由销和以可转动的方式安装在所述销上的 套筒(12)形成,其中,套筒(12)中的至少一个套筒在其外周上具有引 导部(48)。

5.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述至少一个引导部 (48)中的一个引导部具有至少一个径向延伸的引导表面(52)。

6.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述至少一个销结构 具有多个凹槽(15),所述凹槽轴向上彼此间隔开,且绕着销结构的圆周延 伸,而且所述凹槽的侧表面(56,58)分别限制所述至少一个承载盘(5) 的边沿在轴向方向上的运动。

7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,凹槽(15)具有不同的宽 度(w)。

8.如权利要求1、2和7中任一所述的装置,其特征在于,至少一个凹 槽(15)的宽度(w)比所述至少一个承载盘(5)的厚度大0.1mm-0.5mm。

9.如权利要求1、2和7中任一所述的装置,其特征在于,所述至少一 个肩部(50)或所述至少一个凹槽(15)具有至少一个圆周斜角(60)。

10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,斜角(60)相对于肩部(50) 或相对于凹槽(15)具有10°-45°的开口角度。

11.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述至少一个引导表面 (52)具有至少一个圆周斜角(60)。

12.如权利要求11所述的装置,其特征在于,斜角(60)相对于引导 表面(52)具有10°-45°的开口角度。

13.如权利要求1、2和7中任一所述的装置,其特征在于,所述至少 一个肩部(50)或所述至少一个凹槽(15)具有至少一个圆角边缘。

14.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述至少一个引导表面 (52)具有至少一个圆角边缘。

15.如权利要求1、2、7、10-12和14中任一所述的装置,其特征在于, 所述至少一个承载盘(5)由非金属材料构成。

16.如权利要求1、2、7、10-12和14中任一所述的装置,其特征在于, 内、外销环借助于高度可调的安装部件安装,且升降装置被设置用于所述 安装部件。

17.如权利要求1至16中任一所述的装置的用途,其用于多个半导体 晶片的同时双面材料去除处理。

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