[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造树脂密封型半导体装置的方法。

背景技术

在要实现多引脚型半导体装置和其优秀的电子特性的球栅阵列(BGA)封装中，根据在封装中分配的半导体芯片的厚度来确定封装的厚度。除非半导体芯片具有特定程度的厚度，否则封装具有特定厚度，因为在半导体装置的组装中的切割步骤中可能产生诸如破裂的缺陷。然而，为了在有限的空间内安装高性能的芯片，封装的进一步减薄是必要的技术。

在日本专利申请公开No.2004-158739中描述了通过使用封装减薄技术制造半导体装置的方法。在图3A至图3F中示出该方法。图3A示出半导体芯片的接合步骤。如图3A所示，准备诸如聚酰亚胺基板的基板1和半导体芯片4，在所述基板1的表面上具有由Au制成的电极，在所述半导体芯片4的表面上具有由Au制成的凸块3。通过以将多个半导体芯片4的表面面对基板1的表面的方式来布置半导体芯片4，基板1的电极连接到凸块3，以便将半导体芯片4接合到基板1。此后，用环氧树脂5来模制在其上面对凸块3的基板1的表面、半导体芯片4的侧表面以及半导体芯片4的后表面。

接下来，如图3B所示，通过使用研磨机6来研磨半导体芯片4的后表面上的树脂5，半导体芯片4的后表面被暴露。然后，如图3C所示，例如，半导体芯片4被减薄成约50μm。根据该步骤，半导体芯片4的后表面和树脂5的表面被形成在同一平面上。

然后，如图3D所示，作为导电膜，金属层7被形成在半导体芯片4的后表面和每个半导体芯片4的相对侧面部的树脂5的表面上。金属层7被形成为具有层压结构，以便保持粘附性，所述层压结构具有100μm或更小的TiN层以及约50μm的Au层。此外，金属层7可以是由其他金属或金属化合物而制成，并且可以形成树脂层来代替金属层7。

最后，如图3E所示，通过使用切割机8来研磨半导体芯片之间的空间，每个单独分离地切割树脂密封型半导体装置，如图3F所示。在通过此切割步骤所切割的树脂密封型半导体装置中，不暴露半导体芯片4的任何表面。

然而，根据此方法，如图3D中所述，在研磨树脂5和半导体芯片4之后可以形成金属层7。在这样的情况下，由于树脂密封型半导体装置的温度变化所引起的压力，在金属层7和树脂5之间的热膨胀系数的差会涉及半导体芯片4和它们的外围部件的粘附性的问题。

发明内容

因此，本发明的方面是为了提供一种制造树脂密封型半导体装置的方法，其能够改进半导体芯片与要密封半导体芯片的树脂之间的粘附性。

在本发明的一个方面，通过布置在其主表面上具有第一电极的基板和在其第一主表面上具有第二电极的半导体芯片，来实现制造半导体装置的方法，使得基板的主表面和半导体芯片的第一主表面彼此相对并且连接第一电极和第二电极，以便电连接基板和半导体芯片；通过研磨半导体芯片的与第一主表面相对的第二主表面使半导体芯片减薄，所述半导体芯片与基板相连接；以及通过使用树脂密封被减薄的半导体芯片的侧表面和第二主表面。

在本发明的另一个方面，通过下述方法来实现制造半导体装置的方法，即，通过将具有预定厚度的半导体芯片安装在基板上，使得半导体芯片与基板电连接；通过将半导体芯片研磨成比预定厚度更薄的厚度；以及通过用树脂来密封基板和半导体芯片，以覆盖基板的主表面和半导体芯片。

附图说明

下面根据结合附图对特定实施例进行的描述，本发明的以上和其他目的、优点和特征将更加明显，其中：

图1是示出根据本发明实施例的树脂密封型半导体装置的结构图；

图2A至2F是根据本发明实施例的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面图；以及

图3A至3F是示出树脂密封型半导体装置的传统制造方法的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图来描述制造根据本发明的树脂密封型半导体装置的方法。

图1是示出根据本发明实施例的树脂密封型半导体装置10的结构的截面图。如图1所示，根据本实施例的树脂密封型半导体装置10提供有基板1、底部填充物2、凸块3、半导体芯片4以及树脂5。

由Au制成的第一电极12形成在诸如聚酰亚胺基板的基板1的表面(主表面)上。另外，第二电极11形成在半导体芯片4的表面(第一主表面)，并且由Au制成的凸块3形成在第二电极11上。半导体芯片4的第一主表面和基板1的主表面被布置成彼此面对。另外，经由诸如树脂的底部填充物2将第一基板1和半导体芯片4彼此接合，并且经由凸块3来连接基板1的第一电极12和第二电极11。换言之，半导体芯片4被面朝下地安装在基板1上。