[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
申请号: | 200910175087.5 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101661863A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 松本直树;舆水地盐;早川欣延;花冈秀敏;岩田学;田中谕志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02;H01L21/00;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,具有:
可真空排气的接地的处理容器;
第一电极,通过绝缘物或空间安装在所述处理容器内;
第二电极,其在所述处理容器内空出规定的间隔而与所述第一电 极平行地配置,与所述第一电极相对并支承被处理基板,
第一高频供电部,向所述第二电极施加具有第一频率的第一高频;
第二高频供电部,向所述第二电极施加具有比所述第一频率低的 第二频率的第二高频;
处理气体供给部,向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容 器的侧壁之间的处理空间提供期望的处理气体;
直流电源,对所述第一电极施加期望的直流电压;
滤波器,其电连接在所述第一电极与所述直流电源之间,且贯穿 通过直流,而对高频具有期望的频率-电阻特性,
所述第一电极是上部电极,所述第二电极是下部电极,
所述滤波器,在从所述直流电源到所述第一电极的直流传送线路 上串联连接有2个电感器,在所述2个电感器之间的节点与接地电位 之间,以及在所述2个电感器中的所述直流电源一侧的电感器和所述 直流电源之间的节点与接地电位之间,分别各连接有1个电容器,
所述2个电感器中的设在所述第一电极侧的电感器为可变电感器, 在所述2个电感器之间设置的结点与接地电位之间所设置的所述电容 器为可变电容器,
所述2个电感器中的设在所述直流电源侧的电感器为固定电感器, 在所述直流电源侧的电感器和所述直流电源之间设置的结点与接地电 位之间所设置的所述电容器为固定电容器。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
对通过所述第一电极而从所述处理空间与所述第一电极的边界面 到接地电位为止的高频传送通路进行推算的频率-电阻特性中,设定所 述滤波器的频率-电阻特性,使得与所述第二频率对应的电阻低于与所 述第一频率对应的电阻。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述频率-电阻特性中得到100kHz~15MHz的频带内的共振频 率,并得到5~200MHz的频带内的反共振频率。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于:
设定所述滤波器的频率-电阻特性,使得所述共振频率与所述第二 频率大致一致或近似。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
设定所述滤波器的频率-电阻特性,使得对于在所述处理空间中生 成的等离子体得到期望的等离子体密度分布特性。
6.如权利要求1~5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在 于:
在所述第一电极与所述处理容器的侧壁之间气密地设置有环状的 绝缘体。
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