[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，划分为其中布置有多个单元的核心区域和除了所述核心区域之外的外围区域，所述半导体集成电路器件包括：

多个存储单元，以所需的设置格式和所需的程序的任意一种布置在所述核心区域；

多个逻辑单元，布置在所述核心区域，执行各种逻辑功能；和

多个标准单元，布置在所述核心区域中除了被所述存储单元和所述逻辑单元占据的区域之外的其它区域，并在所述逻辑单元之间，用于连接所述逻辑单元；

其中所述多个标准单元的每个都包含标准电容器。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述标准电容器包括P-MOS和N-MOS电容器中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述标准单元约占据了所述半导体集成电路器件中的空余空间的10～30％。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述标准电容器根据所述逻辑单元之间的距离具有不同的电容量。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述存储单元包括连接在各自的字线和各自的位线之间的存储单元晶体管，还包括存储单元电容器。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述逻辑单元被设计为包含至少一个具有所需逻辑功能的逻辑门。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路器件，其中所述逻辑单元被设计为仅由单个逻辑门组成。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述标准单元在形成所述多个逻辑单元之后被插入到空余空间。

9.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中所述标准电容器包括具有多个第一接触部分的上层板和具有多个第二接触部分的下层板。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路器件，其中所述标准电容器的所述上层板是掺杂的化学气相沉积CVD多晶硅薄膜。