[发明专利]有效控制单晶硅中碳含量的方法

权利要求书

1.一种有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)测量并详细记载清楚所采用每种原材料的碳含量C_i，准确测量每种原材料的重量M_i；

2)按照公式C＝(C₁×M₁+C₂×M₂+C₃×M₃……)×0.07/ρM配制原料，使所配原料碳含量≤10×10¹⁶atoms/cm³；

其中：C为所配原料的碳含量，C₁、C₂、C₃……为每种原材料的碳含量，M₁、M₂、M₃……为对应不同碳含量C₁、C₂、C₃……的原材料的质量，0.07为分凝系数，ρ为硅的密度，M为所配原料的总量；

3)将所配原料放入单晶硅炉内，加热熔融提拉单晶硅；

4)测量所拉制的单晶硅的顶端、中部及尾端的碳含量，将单晶硅上碳含量＞10×10¹⁶atoms/cm³的部位切除，作为下次拉制单晶硅的原材料使用。

2.根据权利要求1所述的有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于所述原材料包括：多晶硅或次级料或两者的组合。

3.根据权利要求1所述的有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于在配料前根据原材料的碳含量进行分类，优选分为三类：A类原材料的碳含量≤10×10¹⁶atoms/cm³，10×10¹⁶atoms/cm³＜B类原材料的碳含量≤30×10¹⁶atoms/cm³，C类原材料的碳含量＞30×10¹⁶atoms/cm³；

4.根据权利要求1所述的有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于所述测量碳含量所使用的仪器为尼高丽5700红外光谱仪。