[发明专利]微反射镜阵列制造方法

权利要求书

1.一种微反射镜阵列制造方法，该方法采用体硅MEMS加工技术、垂直梳齿驱动方式、晶片键合工艺以及刻蚀技术，其特征在于：中间驱动层加工好后进行晶片键合，在驱动层上方覆盖一层反射镜面，在此基础上采用深刻蚀释放技术释放驱动层中保留的支撑柱，实现微反射镜的扭转，具体步骤为：

1)双面抛光衬底玻璃片(1)、驱动结构层硅片(2)、反射镜面层硅片(3)；

2)在衬底玻璃片(1)上涂覆光刻胶，曝光、显影后得到电极布线图形；

3)在衬底玻璃片(1)上形成金属层，并采用剥离工艺去掉不需要的金属，形成金属布线；

4)在驱动结构层硅片(2)的正面涂覆光刻胶，曝光、显影后得到定驱动梳齿(10)、锚点、支撑柱(11)的结构图形；

5)对步骤4)的硅片采用深反应离子刻蚀垂直腐蚀掉没有光刻胶保护的部分，形成定驱动梳齿(10)、锚点、支撑柱(11)结构；

6)衬底玻璃片(1)与驱动结构层硅片(2)正面静电键合；

7)在驱动结构层硅片(2)背面涂覆光刻胶，曝光、显影后得到动驱动梳齿(4)、扭梁(8)的结构图形；

8)对步骤7)的硅片(2)采用深反应离子刻蚀垂直腐蚀掉无光刻胶保护的部分，刻蚀深度位置与步骤5)所述硅刻蚀衔接，形成动驱动梳齿(4)、扭梁(8)结构；

9)在反射镜面层硅片(3)的正面上形成键合金属层(6)；

10)在反射镜面层硅片(3)正面涂覆光刻胶，曝光、显影得到金属-硅共晶键合锚点图形；

11)对反射镜面层硅片(3)正面进行深反应离子刻蚀，形成扭梁(8)上方的悬空区域；

12)将反射镜面层硅片(3)的正面和驱动结构层硅片(2)的背面共晶键合；

13)在反射镜面层硅片(3)的背面涂覆光刻胶，曝光、显影后得到支撑柱释放孔(7)、镜面单元周边释放槽的结构图形；

14)采用深反应离子刻蚀释放工艺在反射镜面层硅片(3)背面刻蚀形成支撑柱释放孔(7)，释放支撑柱(11)，并形成镜面单元周边释放槽，释放微镜单元。 

2.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述的衬底玻璃片(1)厚度至少为200μm，驱动结构层硅片(2)厚度至多为250μm，反射镜面硅片(3)厚度至多为250μm。

3.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述步骤3)中的金属层的金属为铬、钛或金中的任意一种，铬或钛的厚度为10nm-30nm，金的厚度至少为80nm。

4.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述步骤5)中刻蚀深度为150μm-170μm。

5.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述步骤9)中的金属层的金属为铬、钛或金中的任意一种，其中铬或钛的厚度为10nm-30nm，金的厚度至少为0.5μm。

6.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述步骤11)中刻蚀深度至少为20μm。

7.根据权利要求1所述的微反射镜阵列制造方法，其特征在于所述步骤14)中刻蚀深度至少为270μm。