[发明专利]反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路

权利要求书

1.一种包括多个反相器的逻辑电路，其中，每个反相器包括：

负载晶体管；和

驱动晶体管，连接到负载晶体管，

其中，负载晶体管和驱动晶体管中的一个具有双栅结构，负载晶体管和 驱动晶体管中的另一个具有单栅结构，负载晶体管和驱动晶体管是包括由 ZnO类氧化物制造的沟道层的氧化物薄膜晶体管，负载晶体管是具有单栅结 构的耗尽型晶体管，驱动晶体管是具有双栅结构的增强型晶体管，并且双栅 结构的两个栅极彼此分离，

其中，所述多个反相器中的每一个反相器的负载晶体管和驱动晶体管是 顶栅晶体管，并且驱动晶体管还包括顶栅晶体管之下的底栅，底栅与相应的 顶栅分离，

所述多个反相器中的每一个的底栅彼此电连接。

2.如权利要求1所述的逻辑电路，其中，负载晶体管和驱动晶体管包括 具有沟道区、源区和漏区的有源层。

3.如权利要求1所述的逻辑电路，其中，负载晶体管和驱动晶体管包括 沟道层、接触沟道层的第一端的源层和接触沟道层的第二端的漏层。

4.如权利要求1所述的逻辑电路，其中，所述逻辑电路包括NAND电 路、NOR电路、编码器、解码器、复用器、解复用器和感测放大器中的至少 一种。

5.一种包括多个反相器的逻辑电路，其中，每个反相器包括：

负载晶体管；和

驱动晶体管，连接到负载晶体管，

其中，负载晶体管和驱动晶体管中的一个具有双栅结构，负载晶体管和 驱动晶体管中的另一个具有单栅结构，负载晶体管和驱动晶体管是包括由 ZnO类氧化物制造的沟道层的氧化物薄膜晶体管，负载晶体管是具有单栅结 构的耗尽型晶体管，驱动晶体管是具有双栅结构的增强型晶体管，并且双栅 结构的两个栅极彼此分离，

其中，所述多个反相器中的每一个反相器的负载晶体管和驱动晶体管是 底栅晶体管，驱动晶体管还包括底栅晶体管之上的顶栅，顶栅与相应的底栅 分离，

所述多个反相器中的每一个的顶栅彼此电连接。

6.如权利要求5所述的逻辑电路，其中，负载晶体管和驱动晶体管包括 沟道层、接触沟道层的第一端的源层和接触沟道层的第二端的漏层。

7.如权利要求5所述的逻辑电路，其中，所述逻辑电路包括NAND电 路、NOR电路、编码器、解码器、复用器、解复用器和感测放大器中的至少 一种。

8.一种操作如权利要求1所述的逻辑电路的方法，包括以下步骤：

改变负载晶体管和驱动晶体管中的具有双栅结构的至少一个的阈值电 压。

9.如权利要求8所述的方法，其中，改变阈值电压的步骤包括：将电压 提供给具有双栅结构的晶体管的两个栅极中的至少一个。

10.如权利要求9所述的方法，其中，驱动晶体管具有双栅结构，改变 阈值电压的步骤包括：将负电压提供给驱动晶体管的两个栅极中的一个。

11.如权利要求9所述的方法，其中，驱动晶体管具有双栅结构，改变 阈值电压的步骤包括：将正电压提供给驱动晶体管的两个栅极。

12.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

在调节阈值电压之后将正常的操作电压提供给反相器。