[发明专利]有机EL装置、有机EL装置的制造方法、电子设备无效
申请号: | 200910175778.5 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN101727828A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 北林厚史;后藤正嗣;三泽龙平 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09F9/33;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 雒运朴;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种有机EL装置,其特征在于,具有:
包含基板的基底层;
隔壁部,形成在所述基底层上,相互地划分相邻的第1膜形成区域和第2膜形成区域;
第1有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置;
第2有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置;
第1驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第1有机EL元件的驱动进行控制;和
第2驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第2有机EL元件的驱动进行控制;
所述第1驱动电路部的至少一部分及所述第2驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述第1驱动电路部及所述第2驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容,
所述第1驱动电路部及所述第2驱动电路部分别具有的所述薄膜晶体管,被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置,
所述第1驱动电路部及所述第2驱动电路部分别具有的所述保持电容,被配置在俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置。
3.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述第1驱动电路部及所述第2驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容,
所述第1驱动电路部及所述第2驱动电路部分别具有的所述薄膜晶体管及所述保持电容,被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置。
4.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述第1有机EL元件所具有的第1发光层及所述第2有机EL元件所具有的第2发光层分别通过涂敷法形成。
5.根据权利要求4所述的有机EL装置,其特征在于,
与所述第1膜形成区域俯视下重合的区域的所述基底层的表面上的凹凸的偏差,比与所述第2膜形成区域俯视下重合的区域的所述基底层的凹凸的偏差大,所述第1发光层的发光寿命比所述第2发光层的发光寿命长。
6.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述第1有机EL元件能发出第1色光,所述第2有机EL元件能发出与所述第1色不同的第2色光,
所述第1有机EL元件所具有的第1发光层和所述第2有机EL元件所具有的第2发光层通过不同的成膜方法形成。
7.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,
与所述第1膜形成区域俯视下重合的区域的所述基底层的表面上的凹凸的偏差,比与所述第2膜形成区域俯视下重合的区域的所述基底层的凹凸的偏差大。
8.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,
在所述第2发光层上,形成有通过与形成所述第1发光层同一工艺形成、且由与所述第1发光层相同的材料构成的层。
9.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,
所述隔壁部划分所述第1膜形成区域及所述第2膜形成区域和相邻的第3膜形成区域,
该有机EL装置具有:
第3有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第3膜形成区域重合的位置,并且能发出与所述第1色光及所述第2色光不同的第3色光;
第3驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第3有机EL元件的驱动进行控制;和
第1数据线及第2数据线,俯视下配置在所述第2膜形成区域和所述第3膜形成区域之间,并且被配置成横穿所述第1膜形成区域;
所述第3有机EL元件所具有的第3发光层通过与所述第1有机EL元件所具有的第1发光层不同的成膜方法形成,
所述第3驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合,
所述第1数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部的任意一个驱动电路部电连接,
所述第2数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部中任意一个驱动电路部中、除了与所述第1数据线电连接的驱动电路部以外的驱动电路部电连接。
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