[发明专利]记忆胞及其制造方法以及记忆体结构

权利要求书

1.一种记忆胞，其特征在于其包括：

一基底；

一绝缘层，配置于该基底上；

一栅极，配置于该绝缘层上；

一电荷储存结构，配置于该绝缘层与该栅极上，覆盖该栅极的顶部及 侧壁与该栅极两侧的该绝缘层的表面；

一第一源极/漏极区，配置于位于该栅极的二侧的该电荷储存结构上；

一第二源极/漏极区，配置于位于该栅极的顶部的该电荷储存结构上； 以及

一沟道层，配置于位于该栅极的侧壁上的该电荷储存结构上，且与该 第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区电性连接。

2.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的绝缘层的材 料为氧化物或氮化物。

3.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的绝缘层为一 复合绝缘层。

4.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的电荷储存结 构包括：

一第一介电层，配置于该绝缘层与该栅极上；

一电荷捕捉层，配置于该第一介电层上；以及

一第二介电层，配置于该电荷捕捉层上。

5.根据权利要求4所述的记忆胞，其特征在于其中所述的电荷捕捉层 的材料为高介电常数材料。

6.根据权利要求5所述的记忆胞，其特征在于其中所述的高介电常数 材料为氮化物。

7.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的电荷储存结 构包括：

一第一介电层，配置于该绝缘层与该栅极上；

一纳米晶粒层，配置于该第一介电层上；以及

一第二介电层，配置于该纳米晶粒层上。

8.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的电荷储存结 构包括：

一第一介电层，配置于该绝缘层与该栅极上；

一多晶硅层，配置于该第一介电层上；以及

一第二介电层，配置于该多晶硅层上；

其中，所述的第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的材料包括具有 第一导电型的多晶硅或具有第一导电型的单晶硅。

9.根据权利要求8所述的记忆胞，其特征在于其中所述的沟道层的材 料包括具有第二导电型的多晶硅、具有第二导电型的单晶硅、未经掺杂的 多晶硅或未经掺杂的单晶硅。

10.一种记忆胞的制造方法，其特征在于其包括：

提供一基底；

在该基底上形成一绝缘层；

在该绝缘层上形成一栅极；

在该栅极与该绝缘层上形成一电荷储存结构，该电荷储存结构覆盖该 栅极的顶部及侧壁与该栅极两侧的该绝缘层的表面；

在该电荷储存结构上形成一沟道材料层；以及

在位于该栅极的二侧的该沟道材料层中形成一第一源极/漏极区，以及 于位于该栅极的顶部的该沟道材料层中形成一第二源极/漏极区；

其中，所述的沟道材料层的形成方法包括将未经掺杂的多晶硅层沉积 于该电荷储存结构上。

11.根据权利要求10所述的记忆胞的制造方法，其特征在于其中所述 的沟道材料层的形成方法包括：

在该电荷储存结构上形成一非晶硅层；以及

进行一金属诱发侧向结晶制造工艺，以将该非晶硅层转变为单晶硅层。

12.根据权利要求10所述的记忆胞的制造方法，其特征在于其中所述 的在形成该沟道材料层之后以及在形成该第一源极/漏极区与该第二源极/ 漏极区之前，还包括对该沟道材料层进行一离子植入制造工艺。

13.根据权利要求10所述的记忆胞的制造方法，其特征在于其中所述 的第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的形成方法包括：

在位于该栅极的二侧的该沟道材料层上形成一间隙壁；以及

以该间隙壁为掩模，进行一离子植入制造工艺。