[发明专利]薄形化光电元件构装及其金属化透明基板无效
申请号: | 200910176208.8 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN102024853A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 邱明坤;魏建承;范锦达;保罗巴纳西恩 | 申请(专利权)人: | 同欣电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0232;H01L33/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄形化 光电 元件 及其 金属化 透明 | ||
1.一种薄形化光电元件构装,其特征在于,包含有:
一金属化透明基板,其包含有一透明板、一视窗区域及一金属图案;其中该透明板包含有两相对表面,而金属图案形成于其中一表面上,并且环绕于该视窗区域外侧,以定义出该视窗区域范围;又该金属图案包含有至少二内导电垫及至少一外导电垫,其中该至少一外导电垫则设于该视窗区域外,并与二内导电垫电连接;
一芯片,包含有一主动作面及一相对该主动作面的电极面,其中该主动作面朝向该金属化透明基板的视窗区域,并与该至少二内导电垫电连接;又,该芯片的电极面上形成有焊锡层;以及
一环胶堤,环设于该芯片与金属化透明基板接合处,以密封该视窗区域及至少二内导电垫于其中,且该环胶堤、芯片及金属化透明基板之间形成一密封空间。
2.根据权利要求1所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该主动作面为一发光面。
3.根据权利要求1所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该主动作面为一感光面。
4.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该密封空间充填一透光胶。
5.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该至少二内导电垫设于该视窗的两相对侧。
6.根据权利要求4所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该至少二内导电垫设于该视窗的两相对侧。
7.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于,该金属图案包含有:
一金属层,形成在该透明板的一表面上;
一绝缘层,局部形成于该金属层上,令对应该至少一外导电垫及至少二内导电垫位置的金属层外露;
至少一第一导电体,设于对应至少一外导电垫的外露金属层上,该至少一第一导电体即作为至少一外导电垫用;以及
至少二第二导电体,设于对应至少二内导电垫的外露金属层上,该至少二第二导电体即作为至少二内导电垫用。
8.根据权利要求4所述的薄形化光电元件构装,其特征在于,该金属图案包含有:
一金属层,形成在该透明板的一表面上;
一绝缘层,局部形成于该金属层上,令对应该至少一外导电垫及至少二内导电垫位置的金属层外露;
至少一第一导电体,设于对应至少一外导电垫的外露金属层上,该至少一第一导电体即作为至少一外导电垫用;以及
至少二第二导电体,设于对应至少二内导电垫的外露金属层上,该至少二第二导电体即作为至少二内导电垫用。
9.根据权利要求7所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该各第一导电体及第二导电体可为金、导电聚合物、铜、焊锡凸块。
10.根据权利要求8所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该各第一导电体及第二导电体可为金、导电聚合物、铜、焊锡凸块。
11.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该金属化透明基板包含至少二外导电垫,该至少二外导电垫设置于该视窗区域两相对侧之外。
12.根据权利要求4所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该金属化透明基板包含至少二外导电垫,该至少二外导电垫设置于该视窗区域两相对侧之外。
13.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该透明板为一玻璃板。
14.根据权利要求4所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:该透明板为一玻璃板。
15.根据权利要求2或3所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:各外导电垫与该芯片的电极面的焊锡层平齐。
16.根据权利要求4所述的薄形化光电元件构装,其特征在于:各外导电垫与该芯片的电极面的焊锡层平齐。
17.一种薄形化光电元件构装的金属化透明基板,其特征在于,包含有:
一透明板,包含有两相对表面;
一金属图案,形成于该透明板的其中一表面上,以定义出一视窗区域范围,该金属图案包含有至少二内导电垫及至少一外导电垫,其中该至少二内导电垫设于该视窗区域内的相对两侧,而至少一外导电垫则设于该视窗区域外,并与二内导电垫电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的