[发明专利]光电转换元件、光电转换装置、及图像传感器

权利要求书

1.一种光电转换元件，其特征在于，具备：

由微结晶半导体构成的受光层；

在前述受光层的一个面侧形成的第1导电型的第1半导体层；和

夹设在前述第1半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第1中间层。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，具备：

在前述受光层的另一个面侧形成的第2导电型的第2半导体层；和

夹设在前述第2半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第2中间层。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，具备：

形成在前述受光层的另一个面侧、且作为第2导电型微结晶半导体层的第3半导体层。

4.一种光电转换装置，其特征在于，具备：

光电转换元件，其具有：(i)由微结晶半导体构成的受光层，(ii)在前述受光层的一个面侧形成的第1导电型的第1半导体层，(iii)夹设在前述第1半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第1中间层，(iv)在前述受光层的另一个面侧形成的第2导电型的第2半导体层，及(v)夹设在前述第2半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第2中间层；

导电部，其与前述第2半导体层电连接；和

薄膜晶体管，其借助前述导电部与前述光电转换元件电连接，且对前述光电转换元件进行驱动；

前述薄膜晶体管具有由多晶硅构成的半导体层。

5.一种光电转换装置，其特征在于，具备：

光电转换元件，其具有：(i)由微结晶半导体构成的受光层，(ii)在前述受光层的一个面侧形成的第1导电型的第1半导体层，(iii)夹设在前述第1半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第1中间层，及(iv)形成在前述受光层的另一个面侧、且作为第2导电型微结晶半导体层的第3半导体层；

导电部，其与前述第3半导体层电连接；和

薄膜晶体管，其借助前述导电部与前述光电转换元件电连接，且对前述光电转换元件进行驱动；

前述薄膜晶体管具有由多晶硅构成的半导体层。

6.一种图像传感器，其特征在于，具备：

基板；和

光电转换元件，其形成于前述基板上的构成光检测区域的多个单位区域的每一个，具备：(i)由微结晶半导体构成的受光层，(ii)在前述受光层的一个面侧形成的第1导电型的第1半导体层，(iii)夹设在前述第1半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第1中间层。