[发明专利]一种外腔半导体激光器

权利要求书

1.一种外腔半导体激光器，其特征在于，包括：半导体激光管、单块环形F-P腔和光折变晶体；

所述半导体激光器中各部件的布设使得从半导体激光管发出的光束从所述单块环形F-P腔的输入面入射进入所述单块环形F-P腔，经过至少两个反射面反射后，回到输入面的入射点；从所述单块环形F-P腔其中一个反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光入射到所述光折变晶体，并被按原路径反馈回半导体激光管。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔包含有三个光学面：光线从输入面入射进入单块环形F-P腔，经过在第一反射面反射后，到达第二反射面，经第二反射面反射后回到输入面的入射点；并且从反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光，所述从第一反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面体单块结构，所述入射面和第一反射面为梯形的两腰所在面，所述第二反射面为梯形的下底所在面；

或者所述单块环形F-P腔为等边三角型五面体结构，等边三角型三个边所在平面作为所述光学面。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面体单块结构时，所述入射面和第二反射面夹角为66.42°。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述入射面利用光学镀膜技术镀有合适反射率Ra的反射膜，所述第一反射表明为高反射面，该表面高反射率Rb＝Ra；所述第二反射表明为全反射面。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔的光学面均为微凸面型或均为平面；

或者所述单块环形F-P腔的光学面为平面与微凸面组合、或微凸与平面及微凹面的组合。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器还包括：准直透镜，所述半导体激光管发出的光束首先经过准直透镜准直后再入射到其他光学器件；

半波片，所述半导体激光管发出的光束通过半波片后，入射到单块环形F-P腔。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括有以下调节设备中的一种或一种以上组合：

单块环形F-P腔的调节设备，通过改变单块环形F-P腔的内部光程来调节单块环形F-P腔决定的谐振频率；或者通过旋转单块环形F-P腔，来改变入射光线、出射光线的角度；

外腔的调节设备，通过改变半导体激光器外腔长度、光学性能来调节激光频率；

半导体激光管的调节设备，通过改变半导体激光管的输入电流来改变半导体激光管输出光频率范围；或者通过改变半导体激光管的温度来改变半导体激光管输出光频率范围。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述外腔的调节设备，包括：用于通过改变入射至光折变晶体的光束角度来调节光折变晶体选频的调节装置；或者通过改变光折变晶体到单块环形F-P腔或光折变晶体到半导体激光管的距离来调节光折变晶体选频决定的激光振荡频率的调节装置。

10.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔的调节设备包括以下一种或一种以上的组合：

所述单块环形F-P腔上粘接的压电陶瓷，用于进行F-P腔谐振频率的快速小范围细调；

设置于所述单块环形F-P腔的温控器件，用户进行F-P腔谐振频率的慢速大范围粗调；

设置于所述单块环形F-P腔微调螺钉或压电陶瓷，用于改变单块环形F-P腔的对光折变晶体的反馈角度；

所述外腔的调节设备为用于调整分光器件角度的调节装置；

所述半导体激光管的调节设备包括以下一种或一种以上的组合：

半导体激光管热沉，通过改变半导体激光管的温度，改变半导体激光管输出光频率范围。