[发明专利]永磁场直拉硅单晶的工艺及附属设备无效
| 申请号： | 200910176611.0 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101906658A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 徐岳生;王海云;刘彩池;顾励生;李幼斌;王继炎;郎益谦 | 申请（专利权）人： | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300410 天津市天津空*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永磁 场直拉硅单晶 工艺 附属 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种直拉硅单晶的工艺，其特征在于向熔体空间引入可变磁感应强度的磁场。
2.如权利要求1所述的工艺，其特征在于所述可变磁场的强度在为0～1500高斯范围内均匀连续可变。
3.如权利要求1所述的工艺，其特征在于所述可变磁场起始强度为800高斯；当品体生长长度达到一半时，磁场强度降均匀连续地低至600高斯；结束时为400～500高斯。
4.一种权利要求1所述工艺的附属设备，其特征在于常规的直拉单晶炉(1)外面套有环状永磁体(2)。
5.如权利要求4所述的设备，其特征在于所述环状永磁体(2)是具有两层和/或两层以上的结构。
6.如权利要求5所述的设备，其特征在于所述环状永磁体(2)是具有两层的结构。
7.如权利要求4所述的设备，其中所述永磁体(2)采用钕铁硼永磁材料制备。
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