[发明专利]一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法无效
| 申请号： | 200910176641.1 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102033169A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 苏燚;邹小平;程进 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01R29/22 | 分类号： | G01R29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 氧化锌 纳米 阵列 薄膜 压电 应变 常数 sub 33 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，该氧化锌纳米棒阵列薄膜是用溶液法在金属锌基底上制备所得的c轴择优取向的阵列薄膜。包括以下步骤：
(1)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上表面镀一层金属导电膜；
(2)使用阻抗分析仪测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的谐振频率f0；
(3)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上下表面加电压U；
(4)使用激光测振仪测量，在电压为U的条件下，谐振频率f0附近的氧化锌纳米棒阵列薄膜的振幅ΔL；
(5)由公式ΔL＝d33×U，计算可得氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33。
2.按权利要求1所述的一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，其特征在于：所述步骤(1)氧化锌纳米棒阵列薄膜上表面所镀的一层导电膜为金属：金、铂、铜、铝。
3.按权利要求1所述的一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，其特征在于：所述步骤(3)氧化锌纳米棒阵列薄膜上下表面加电压U为0.5-15V。
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