[发明专利]液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体

权利要求书

1.一种用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液，其中以该蚀刻 溶液的总重量计，该蚀刻溶液包含12至35重量％的过氧化氢、0.5至5重 量％的硫酸盐、0.5至5重量％的磷酸盐、0.0001至0.5重量％的提供氟离子 的氟化物、0.1至5重量％螫合剂、0.1至5重量％的第一水溶性环胺、0.1 至5重量％的第二水溶性环胺、0.1至5重量％的二醇化合物、以及去离子 水，全部的该蚀刻溶液的总重为100重量％。

2.权利要求1所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述硫酸盐系选自硫酸铵、过硫酸铵、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾、 以及过硫酸钾的至少一种。

3.权利要求2所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述磷酸盐是选自单磷酸铵、二磷酸铵、磷酸二氢钾、以及磷酸二氢 钠的至少一种。

4.权利要求3所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述氟化物是选自氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟化钾、以及氟化氢 钾的至少一种。

5.权利要求4所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述螫合剂是选自乙二胺四乙酸、亚胺二乙酸、腈基三乙酸、以及二 乙三胺五乙酸的至少一种。

6.权利要求5所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述第一水溶性环胺是选自胺基四唑、苯并三唑、甲基苯并三唑、1，2，3- 三唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、以及辅胺酸的至少 一种。

7.权利要求6所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述第二水溶性环胺是选自环己胺、环丙胺、环戊胺、环庚胺、以及 环辛胺的至少一种。

8.权利要求7所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述二醇化合物是选自乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、己二 醇、丁二醇、聚乙二醇、以及聚丙二醇的至少一种，且以较第二水溶性环 胺多的量注入。

9.权利要求8所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述铜/钼层或该铜/钼合金层为多层，其中至少一铜层和至少一钼层互 相压迭，或至少一铜层和至少一钼-合金层互相压迭。

10.权利要求9所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述多层包括铜/钼或铜/钼-合金双层、铜/钼/铜或铜/钼-合金/铜、钼/ 铜/钼、钼-合金/铜/钼或钼-合金/铜/钼-合金三层，该层的顺序可根据基材的 材料及黏着特性而适当地控制。

11.权利要求9所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液， 其中所述钼-合金系由钼-钨(Mo-W)、钼-钛(Mo-Ti)、钼-铌(Mo-Nb)、 钼-铬(Mo-Cr)、或钼-钽(Mo-Ta)组成。

12.权利要求1至11中任一项所述的用于铜层、铜/钼层、或铜/钼合金 层的蚀刻溶液，其中所述铜层、铜/钼层、或铜/钼合金层的蚀刻溶液是用于 装配液晶显示器装置的薄膜晶体管(TFT)的闸极电极、源极电极、或汲极 电极的蚀刻制程中，用于金属线的蚀刻制程。

13.一种蚀刻金属线的方法，包括：

沉积铜层、铜/钼层、或铜/钼合金薄膜于基材上；

形成具有预定图案的光阻层于该基材上；

使用如权利要求1至11中任一项所述的蚀刻溶液，于该光阻所形成的 薄膜上形成金属线；

移除该光阻层；以及

以去离子水清洁该金属线，并以氮气或空气予以干燥。

14.如权利要求13所述的方法，其中于该金属线中，该铜/钼层或该铜 /钼合金层为多层，其中至少一铜层和至少一钼层互相压迭，或至少一铜层 和至少一钼-合金层互相压迭。

15.权利要求14所述的方法，其中沉积该钼层或该钼-合金层至100至 500埃的厚度，且沉积该铜层至1000至10,000埃的厚度。