[发明专利]线性稳压器有效
申请号: | 200910177357.6 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN102033557A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 王朝钦;颜韶甫 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余功勋 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 稳压器 | ||
1.一种线性稳压器,至少包含:
一输入端,提供可调变的一电源输入;
一参考电路,电性连接至该输入端,以接收该电源输入;
一功率传输组件,电性连接至该输入端与一输出端,以接收该电源输入,並控制该电源功率;
一位准调节器,电性连接至该输入端及该参考电路,以接收该电源输入及该参考电路所提供的一第一偏压;
一调节电路,电连接至该参考电路、该输出端及该位准调节器,接收由该参考电路所提供的一比较偏压及感测该输出端的一负载变化,并将该负载变化放大为一第一电压以耦合至该位准调节器;
一第一N型半场效晶体管,其包含一第一闸极、一第一汲极和一第一源极,该第一闸极电连接该参考电路,以接收一第二偏压,该第一源极接地,该第一汲极电连接该位准调节器及该调节电路;
其中,该位准调节器接收该第一电压,并将该第一电压提升至一第一电压准位,以耦合至该功率传输组件以使该功率传输组件控制该电源功率。
2.如权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,该参考电路至少包含一偏压电路、一位准电路及一转导放大器,其中该转导放大器电连接在该偏压电路及该位准电路之间。
3.如权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于,该偏压电路电连接至该输入端、该位准电路及该转导放大器的一负输入端,该位准电路电连接至该输入端、该转导放大器的一输出端及该转导放大器的一正输入端。
4.如权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于,该偏压电路产生该第一偏压及该第二偏压。
5.如权利要求2所述的一种线性稳压器,其特征在于,该运算放大器输出一信号至该位准电路,经由该位准电路回授至该转导放大器,并产生该比较偏压至该调节电路。
6.如权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,该功率传输组件为一第一P型半场效晶体管,该第一P型半场效晶体管的源极耦合至该输入端,该第一P型半场效晶体管的闸极耦合至该第一电压准位,该第一P型半场效晶体管的汲极耦合至该调节电路。
7.如权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,该调节电路包含一第二P型半场效晶体管及一补偿电容,该补偿电容电连接于该第二P型半场效晶体管的源极和该第二P型半场效晶体管的汲极,并产生一极点及一零点。
8.如权利要求7所述的线性稳压器,其特征在于,该第二P型半场效晶体管的闸极耦合至该参考电路以接受该比较偏压,该第二P型半场效晶体管的源极耦合至该输出端及该功率传输组件,该第二P型半场效晶体管的汲极耦合至该位准调节器及该第一N型半场效晶体管。
9.如权利要求7所述的线性稳压器,其特征在于,该负载变化由该第二P型半场效晶体管共闸极耦合至该第一N型半场效晶体管。
10.如权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,该位准调节器包含一第三P型半场效晶体管、一第四P型半场效晶体管及一第五P型半场效晶体管。
11.如权利要求10所述的线性稳压器,其特征在于,该第三P型半场效晶体管的源极耦合至该输入端,该第三P型半场效晶体管的闸极耦合至该第一偏压,该第三P型半场效晶体管的汲极耦合至该第四P型半场效晶体管的源极。
12.如权利要求10所述的线性稳压器,其特征在于,该第四P型半场效晶体管的源极耦合至该第三P型半场效晶体管的汲极,该第四P型半场效晶体管的闸极耦合至该第五P型半场效晶体管的源极。
13.如权利要求10所述的线性稳压器,其特征在于,该第五P型半场效晶体管的源极耦合至该第四P型半场效晶体管的汲极,该第五P型半场效晶体管的闸极耦合至该第一电压位准,该第五P型半场效晶体管的汲极接地。
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