[发明专利]绝缘涂料、多晶硅提纯设备及其防电离与防短路方法、电气设备在审
申请号: | 200910177450.7 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN101659798A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 董志远;赵友文;田宝利 | 申请(专利权)人: | 包头市山晟新能源有限责任公司 |
主分类号: | C09D1/00 | 分类号: | C09D1/00;C09D7/12;C09D5/25;C01B33/037;C30B29/06;B05D5/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吕俊清 |
地址: | 014100内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 涂料 多晶 提纯 设备 及其 电离 短路 方法 电气设备 | ||
1.一种绝缘涂料,用于冶金硅提纯设备的防电离与防短路,其特征在于,该绝缘涂料由至少10重量份的微硅粉与1重量份的石英纤维与水组成,水的质量占总质量的百分比小于5%。
2.如权利要求1所述的绝缘涂料,其特征在于,所述微硅粉为300、250、200、100、80、50或10重量份。
3.一种多晶硅提纯设备,其特征在于,该多晶硅提纯设备的易电离部位或易短路的高温部位涂布有权利要求1或2所述的绝缘涂料制备的绝缘涂层。
4.如权利要求3所述的多晶硅提纯设备,其特征在于,所述多晶硅提纯设备为水冷坩埚或感应加热炉,易电离部位包括电极,所述水冷坩埚的易短路的高温部位为坩埚壁的铜管之间。
5.如权利要求4所述的多晶硅提纯设备,其特征在于,所述铜管间的所述绝缘涂层的厚度为0.5毫米。
6.一种多晶硅提纯设备的防电离与防短路方法,包括步骤:
步骤1:取权利要求1或2的绝缘涂料中的微硅粉与石英纤维,加水并充分混合制备成绝缘涂料;
步骤2:将该绝缘涂料涂布于该多晶硅提纯设备的易电离部位或易短路的高温部位。
7.如权利要求6所述的防电离与防短路方法,其特征在于,在步骤1中,所述绝缘涂料中微硅粉为250重量份,石英纤维为1重量份,所加水为5重量份。
8.如权利要求6或7所述的防电离与防短路方法,其特征在于,该易电离部位包括电极,步骤2之后还包括将涂布于该电极表面的该绝缘涂料晾干的步骤。
9.一种电气设备,其特征在于,该电气设备的易电离部位或易短路的高温部位涂布有权利要求1-2任一所述的绝缘涂料制备的绝缘涂层。
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