[发明专利]基于距相邻MOS晶体管的栅极间距的电路仿真

权利要求书

1.一种电路仿真设备，包括：

参数计算工具，所述参数计算工具被构造为从集成电路的布局数据中提取集成在所述集成电路中的目标MOS晶体管和相邻MOS晶体管的栅极之间的栅极间距，并且基于所述提取的栅极间距计算与所述目标MOS晶体管的阈值电压相对应的晶体管模型参数；和

电路仿真器，所述电路仿真器被构造为通过使用所述计算的晶体管模型参数执行所述集成电路的电路仿真。

2.根据权利要求1所述的电路仿真设备，其中所述参数计算工具被构造为根据所述提取的栅极间距计算参数修改量，并且通过根据所述参数修改量修改给定的晶体管模型参数计算所述晶体管模型参数，其中所述参数修改量是与所述目标MOS晶体管的阈值电压相对应的所述晶体管模型参数的修改量。

3.根据权利要求2所述的电路仿真设备，其中所述参数计算工具通过使用模型公式计算所述参数修改量，并且

其中所述模型公式包括下述四项中的至少一项：

(1)用于表示所述目标MOS晶体管的源极/漏极区中的杂质分布对所述栅极间距的依赖性的项；

(2)用于表示所述目标MOS晶体管的侧壁宽度对所述栅极间距的依赖性的项；

(3)用于表示在所述集成电路的制造工艺中的袋注入中的阴影的依赖性的项；以及

(4)用于表示所述目标MOS晶体管的实际栅极尺寸对所述栅极间距的依赖性的项。

4.根据权利要求3所述的电路仿真设备，其中所述参数计算工具被构造为根据所述提取的栅极间距通过使用所述模型公式计算阈值电压变化量，根据所述阈值电压变化量计算第一和第二漏电流变化量，并且根据所述阈值电压变化量以及所述第一和第二漏电流变化量计算所述参数修改量，其中所述阈值电压变化量是从其源极侧和漏极侧栅极间距是特定标准值的MOS晶体管的阈值电压的变化量，

所述第一漏电流变化量是与在其反向偏压为0的情况下其栅极间距是所述特定标准值的MOS晶体管的漏电流的差，并且

所述第二漏电流变化量是与在其反向偏压为非零的预定值的情况下其栅极间距是所述特定标准值的MOS晶体管的漏电流的差。

5.根据权利要求4所述的电路仿真设备，其中所述参数计算工具被构造为计算所述第一和第二漏电流变化量，从而所述第一和第二漏电流变化量对于所述阈值电压变化量是线性的。

6.根据权利要求4或5所述的电路仿真设备，其中所述参数计算工具被构造为计算所述参数修改量，从而所述参数修改量是所述第一和第二漏电流变化量的线性组合。

7.根据权利要求3至5中的任意一项所述的电路仿真设备，其中用模型参数描述所述模型公式，并且

其中通过集成在测试元件组中的MOS晶体管的特性的测量数据的数据拟合计算所述模型参数。

8.一种电路仿真方法，包括：

从集成电路的布局数据中提取集成在所述集成电路中的目标MOS晶体管和相邻MOS晶体管的栅极之间的栅极间距；

基于所述提取的栅极间距计算与所述目标MOS晶体管的阈值电压相对应的晶体管模型参数；以及

通过使用所述计算的晶体管模型参数执行所述集成电路的电路仿真。

9.根据权利要求8所述的电路仿真方法，进一步包括：

根据所述提取的栅极间距计算参数修改量，其中所述参数修改量是与所述目标MOS晶体管的阈值电压相对应的所述晶体管模型参数的修改量，

其中通过根据所述参数修改量修改给定的晶体管模型参数计算所述晶体管模型参数。

10.根据权利要求9所述的电路仿真方法，其中通过使用模型公式计算所述参数修改量，并且

其中所述模型公式包括下述四项中的至少一项：

(1)用于表示所述目标MOS晶体管的源极/漏极区中的杂质分布对所述栅极间距的依赖性的项；

(2)用于表示所述目标MOS晶体管的侧壁宽度对所述栅极间距的依赖性的项；

(3)用于表示在所述集成电路的制造工艺中的袋注入中的阴影的依赖性的项；以及

(4)用于表示所述目标MOS晶体管的实际栅极尺寸对所述栅极间距的依赖性的项。