[发明专利]玻璃陶瓷基板

说明书

技术领域

本发明涉及玻璃陶瓷基板。

背景技术

作为电子设备中使用的配线基板，已知有使用通过烧成含有玻璃成分和填充剂成分的组合物而得到的低温烧成瓷器的配线基板。在这种配线基板中，尝试了使用氧化铝作为填充剂成分来降低相对介电常数并且提高机械强度(例如，参考日本专利特开2004-256345号公报)。

发明内容

但是，特开2004-256345号公报中所述的现有的配线基板，由于强度还不够高，需要进一步完善。

因此，本发明旨在提供一种具有十分出色的强度的玻璃陶瓷基板。

为了达到上述目的，本发明提供一种玻璃陶瓷基板，含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂，板状氧化铝填充剂的平均板径为0.1～20μm，平均长宽比为50～80，板状氧化铝填充剂的含量相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量为22～35体积％。

由于本发明的玻璃陶瓷基板具有上述结构，从而具有比现有玻璃陶瓷基板出色的强度。本发明者们对能够得到这种效果的原因进行了如下推测。本发明的玻璃陶瓷基板，含有相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量为22～35体积％的板状氧化铝填充剂，其中板状氧化铝填充剂的平均板径为0.1～20μm，平均长宽比为50～80。这种形状的板状氧化铝填充剂的分散性和取向性出色，并且，与其他形状的板状氧化铝填充剂相比，能够抑制局部应力集中。因此，通过使玻璃陶瓷基板含有特定量的这种形状的板状氧化铝填充剂，能够提高玻璃陶瓷基板的强度。但是，能够得到上述效果的原因并不仅限于此。

利用本发明，能够提供一种具有十分出色的强度的玻璃陶瓷基板。

附图说明

图1是表示具备本发明的玻璃陶瓷基板的玻璃陶瓷多层基板的优选实施方式的剖面图。

图2是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖面图。

图3是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖面图。

图4是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖面图。

图5是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖面图。

图6是说明图1所示的玻璃陶瓷多层基板10的制造方法的工序剖面图。

具体实施方式

以下，根据不同情况参照各图，对本发明的优选实施方式进行说明。另外，在各图的说明中，相同符号表示相同或等同的部件，省略重复的说明。

图1是表示具备本发明的玻璃陶瓷基板的玻璃陶瓷多层基板的优选实施方式的剖面图。图1所示的玻璃陶瓷多层基板10具有将玻璃陶瓷基板11a，11b，11c和11d依次层叠的层叠结构。并且，玻璃陶瓷多层基板10具备设置在相邻的玻璃陶瓷基板之间的内部导体13、设置在作为最外层的玻璃陶瓷层11a和11d的最外面的表面导体14、以及电导通内部导体13和表面导体14的通孔导体12。

玻璃陶瓷基板11a～11d分别含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂。其中，板状氧化铝填充剂的含量，相对于玻璃成分和板状氧化铝填充剂的合计量为22～35体积％。下面，对各成分进行详细说明。

<玻璃成分>

作为玻璃成分，可以列举例如，(1)非晶质玻璃材料和(2)结晶化玻璃材料2种。(2)结晶化玻璃材料，是在加热烧成时从玻璃成分中析出大量微小结晶的材料，也称作玻璃陶瓷。

作为本实施方式的玻璃成分，在上述(1)非晶质玻璃材料和(2)结晶化玻璃材料中，优选(2)结晶化玻璃材料。作为(2)结晶化玻璃材料，可以使用例如(i)含有SiO₂、Ba₂O₃、Al₂O₃和碱土类金属氧化物的玻璃成分以及(ii)含有SiO₂、CaO、MgO、Al₂O₃和CuO的透辉石(Diopside)晶化玻璃成分。

在(i)含有SiO₂、Ba₂O₃、Al₂O₃和碱土类金属氧化物的玻璃成分中，优选SiO₂的含量为：以玻璃成分总量作为基准，为46～60质量％，更优选为47～55质量％。如果该含量低于46质量％，则具有难以玻璃化的倾向；如果该含量超过60质量％，则熔点变高，具有难以低温烧结的倾向。