[发明专利]分区域激光退火及前馈工艺控制

权利要求书

1.一种半导体晶片激光退火的方法，包括：

提供具有多个管芯区域的半导体晶片；

对每个单独管芯区域内的测试结构的特性进行测量；以及

对于每个单独管芯区域：

(1)基于管芯区域内所述测试结构的测量特性对激光参数进行调整； 以及

(2)利用基于管芯区域内所述测试结构的测量特性调整的所述激光， 对管芯区域进行退火，

其中所述测量在每个单独管芯区域中多个位置处执行。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述测量为所述半导体晶片的方块电 阻测量、热波测量或者光致发光成像测量的其中一个。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述对测试结构特性进行测量的步骤 包括将所述测量的结果存储在计算机可读存储介质中。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述参数为激光的强度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述参数为激光的波长。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述参数为激光的持续时间。

7.一种半导体晶片激光退火的系统，包括：

激光源；

用来支撑半导体晶片的底座，其中所述激光源被配置用来相对于所述底座 移动，或者所述底座被配置用来相对于所述激光源移动；以及

与所述激光源和所述底座进行信号通信的处理器，所述处理器被配置用 于：

控制所述底座与所述激光源之间的相对移动；以及

基于所述半导体晶片的绘图对扫描每个所述多个管芯区域的所述激 光源的参数单独进行调整，所述绘图基于在各个管芯区域的第一次测量的对应 数值来表现所述半导体晶片各个管芯区域的特性，

其中所述第一次测量在每个单独管芯区域中多个位置处执行。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述第一次测量为方块电阻测量。

9.如权利要求8所述的系统，其中所述第一次测量为热波测量。

10.如权利要求8所述的系统，其中所述激光源的参数为所述激光的强度 和/或波长。