[发明专利]控制离子注入工艺的方法和系统

权利要求书

1.一种控制离子注入工艺的方法，包括：

确定位于半导体晶片的第一区域中的特征的第一关键尺寸CD和位于 所述半导体晶片的第二区域中的特征的第二CD，确定半导体晶片的CD的 偏差，其中，所述半导体晶片具有形成在其上的多个特征；

在离子注入过程中以二维模式移动所述半导体晶片；以及

控制所述半导体晶片的移动速度以使得注入到所述半导体晶片中的注 入量基于所述CD偏差而变化；

其中当所述离子注入到所述第一区域时，以第一速度移动所述半导体 晶片，当所述离子注入到所述第二区域时，以不同于所述第一速度的第二 速度移动所述半导体晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述速度包括：

增加所述速度以降低注入到所述半导体晶片的注入量；以及

降低所述速度以增加注入到所述半导体晶片的注入量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述速度为线速度V，所述线速 度V等于：

其中所述移动所述半导体晶片包括以角速度w移动所述半导体晶片， 所述角速度w等于：V*(1/R)*(180/pi)，其中，R为臂的长度，所述半 导体晶片被固定在平台上，所述臂与所述平台的中心部分相连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述移动所述半导体晶片还包括：

将所述半导体晶片固定在平台上，所述半导体晶片的中心部分与所述 平台的中心部分对准；

提供与所述平台的中心部分相连接的臂，所述臂具有长度R；以及

基于所述被注入的半导体晶片的位置调整所述臂的所述角速度；

其中当所述半导体晶片的底部部分(520)被注入时，通过因数(R-r1)/R 调整所述臂的角速度，其中，r1为所述底部部分(520)从所述半导体晶 片的中心部分沿第一径向延伸的第一距离；

其中当所述半导体晶片的顶部部分(530)被注入时，通过因数(R+ r2)/R调整所述臂的角速度w，r2为所述顶部部分(530)从所述半导体晶 片的中心部分沿与所述第一径向相对的第二径向延伸的第二距离。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将由确定所述CD偏差而获得的 信息提供到先进过程控制APC系统以控制所述半导体晶片移动的速度。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括通过所述先进过程控制系统基 于所述CD偏差的信息控制所述离子注入工艺的离子束流剖面，

其中所述半导体晶片对应于所述CD偏差被划分为多个区域；以及

其中所述控制所述离子束流剖面包括调整离子束峰值大小以调节注入 到所述多个区域的注入量。

7.一种控制离子注入工艺的方法，包括：

提供半导体晶片，其具有形成在其上的多个特征；

确定位于所述半导体晶片的第一区域中的特征的第一关键尺寸CD和 位于所述半导体晶片的第二区域中的特征的第二CD；

在所述半导体晶片以二维模式被扫描时，在所述半导体晶片内注入离 子；

其中当所述离子注入到所述第一区域时，以第一速度移动所述半导体 晶片，当所述离子注入到所述第二区域时，以不同于所述第一速度的第二 速度移动所述半导体晶片；

其中，所述第一速度和第二速度基于所述第一CD和所述第二CD之间 的偏差。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个特征包括多个栅结构； 以及

其中在所述半导体晶片内注入离子形成置于每个栅结构的相对侧的轻 掺杂源/漏区。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括将与所述第一和第二关键尺寸 相关的信息前馈到先进过程控制APC系统以控制所述第一速度和所述第二 速度。