[发明专利]挠性传感器单元的制备方法、所制得的挠性传感器单元及含该传感器单元的数组

权利要求书

1.一种由传感器结构制备挠性传感器单元的方法，所述传感器结构包括：基板；金属-氧化物层；至少一个网状结构，其位于所述金属-氧化物层中；以及电气导线，包括至少一个第一接触片，其位于所述金属-氧化物层中；所述方法包括下列步骤：

蚀刻所述金属-氧化物层以释放所述网状结构；

在所述网状结构上形成一密封层；

在所述金属-氧化物层上形成一第一挠性材料层；及

除去所述基板的相当厚度，该除去的厚度足以使所述传感器结构具挠性。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板厚度是以蚀刻除去。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板厚度是以一研磨步骤除去。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述基板是实质上完全除去。

5.如权利要求1所述的方法，还包括加入一第二挠性材料层于所述基板背面(backside)的步骤。

6.如权利要求4所述的方法，还包括在除去所述基板后，加入第二挠性材料层于所述裸露的金属-氧化物层上的步骤。

7.如权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第一挠性材料层后，使所述电气导线的接触片裸露于外的步骤。

8.如权利要求5所述的方法，还包括在加入所述第二挠性材料层的步骤后，使所述电气导线的第二接触片裸露于外的步骤。

9.如权利要求6所述的方法，还包括在所述加入所述第二挠性材料层的步骤后，使所述电气导线的一第二接触片裸露于外的步骤。

10.如权利要求1所述的方法，还包括分离所述传感器结构，以形成晶粒的步骤。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括硅。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述网状结构为一金属网。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述网状结构为一依据CMOS工艺制得的金属网。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述基板还包括金属-氧化物堆栈，并且释放所述网状结构的步骤，包括释放所述金属-氧化物堆栈的步骤。

15.如权利要求14所述的方法，其中在制备所述金属-氧化物堆栈时，使将要移除的所述金属-氧化物层的各金属层通过在所述金属-氧化物层内的金属导孔(vias)而互相连结，并且所述金属层的边缘在所述网状结构释放步骤之后裸露于外。

16.如权利要求1所述的方法，其中释放所述网状结构的步骤包括以等向性硅氧化物蚀刻，蚀刻所述金属-氧化物层位于所述网状结构所在的区域。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述释放步骤的等向性硅氧化物蚀刻步骤，在达到在所述金属-氧化物层内所制备的下层多晶硅层时停止。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述释放步骤的等向性硅氧化物蚀刻步骤，在达到所述硅基板的表面时停止。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述释放所述网状结构的步骤还包括以非等向性蚀刻与等向性硅蚀刻的结合来蚀刻所述传感器结构，以在所述基板产生下切区域的步骤。

20.如权利要求1所述的方法，其中再度密封所述网状结构的步骤是在气相中进行，以产生PECVD薄膜。

21.如权利要求1所述的方法，其中再度密封所述网状结构的步骤是在气相中进行，以产生一聚合物薄膜。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述聚合物薄膜是选自Teflon与Parylene中的一种。

23.如权利要求1所述的方法，其中所述第一挠性材料层包括一聚合物层。

24.如权利要求23所述的方法，其中所述聚合物薄膜是选自聚酰亚胺，Parylene与Teflon中的一种。

25.如权利要求1所述的方法，其中所述第二挠性材料层包括一聚合物层。

26.如权利要求25所述的方法，其中所述聚合物薄膜是选自聚酰亚胺，Parylene与Teflon中的一种。