[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的形成方法，包括如下步骤：

提供一晶片，具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括一上表面及多 个半导体芯片；

提供多个裸片，粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之 一；

以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片；

薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度，其中每一所述多个半导体芯片 包括一硅穿孔，该硅穿孔穿透该芯片侧的该上表面，且具有一与所述多个裸 片其中之一连接的第一末端以及一暴露且与该晶片经薄化的该非芯片侧齐 平的第二末端；以及

切割该晶片，以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。

2.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中该保护材料包括 一高分子材料、氧化硅或其组合。

3.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中该保护材料包 括一树脂材料。

4.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中该保护材料包 括一聚亚酰胺、环氧化物、苯并环丁烯或其组合。

5.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中以该保护材料包 覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片的方法选自由射出式铸模、压缩铸模、 锡膏印刷及旋转涂布所组成的族群。

6.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，还包括于薄化该晶片 的该非芯片侧至一预期厚度之前，烘烤该保护材料，以固化该保护材料。

7.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中薄化该晶片的该 非芯片侧至一预期厚度的方法包括机械性薄化该晶片，以及进行一湿式化学 蚀刻或化学机械研磨。

8.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，还包括于切割该晶片 之前，提供焊锡凸块，以连接该硅穿孔的该第二末端。

9.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，包括于切割该晶片之 前，固定该晶片于一裸片架上。

10.一种集成电路结构，包括：

至少一裸片；

一半导体芯片，具有一薄化侧与一未薄化侧，该未薄化侧包括一上表面， 该未薄化侧与该裸片粘合，该半导体芯片还包括一硅穿孔，该硅穿孔穿透该 未薄化侧的该上表面，且具有一与该裸片直接连接的第一末端以及一暴露且 与该半导体芯片的该薄化侧齐平的第二末端；以及

一第一保护材料，包覆该裸片。

11.如权利要求10所述的集成电路结构，还包括一焊锡凸块，连接该硅 穿孔的该第二末端。

12.如权利要求11所述的集成电路结构，还包括一第二保护材料，包覆 该第一保护材料、该裸片与该半导体芯片。

13.如权利要求11所述的集成电路结构，其中该第一保护材料包括一高 分子材料、氧化硅或其组合。

14.如权利要求11所述的集成电路结构，其中该第一保护材料包括一 树脂材料。

15.如权利要求11所述的集成电路结构，其中该第一保护材料包括一 聚亚酰胺、环氧化物、苯并环丁烯或其组合。