[发明专利]气体注入装置及成膜装置有效
申请号: | 200910178340.2 | 申请日: | 2009-11-09 |
公开(公告)号: | CN101736319A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 加藤寿;竹内靖;本间学;菊地宏之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 注入 装置 | ||
1.一种气体注入装置,其中,
包括:
注入装置主体,具有气体导入口及气体流路;
多个气体流出孔,沿着注入装置主体的长度方向排列在注 入装置主体的壁部;
引导构件,被设置成在该引导构件与注入装置主体的外表 面之间形成有沿着该注入装置主体的长度方向延伸的狭缝状的 气体喷出口,将从气体流出孔流出的气体引导到气体喷出口,
注入装置主体的壁部具有平坦部分,在平坦部分具有多个 气体流出孔,狭缝状的气体喷出口位于平坦部分的一缘侧,
引导构件与平坦部分平行。
2.根据权利要求1所述的气体注入装置,其中,
注入装置主体为方筒状。
3.一种成膜装置,该成膜装置反复进行在真空容器内将互 相反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板的表面上的供给 循环,在基板表面层叠多层反应生成物层而形成薄膜,其中,
包括:
真空容器内的旋转台;
基板载置区域,将基板载置于旋转台上;
第1反应气体供给部及第2反应气体供给部,在旋转台的旋 转方向上互相分开地设置,第1反应气体供给部用于向旋转台 的基板载置区域侧的面供给第1反应气体,第2反应气体供给部 用于向旋转台的基板载置区域侧的面供给第2反应气体;
分离区域,用于分离被供给第1反应气体的第1处理区域和 被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛,在旋转台的旋转方 向上位于第1处理区域与第2处理区域之间,具有供给分离气体 的分离气体供给部;
排气口,对真空容器内进行真空排气;
第1反应气体供给部及第2反应气体供给部中至少一方是 权利要求1所述的气体注入装置,气体注入装置在与旋转台的 旋转方向交叉的方向上延伸,气体注入装置的气体喷出口与旋 转台相对。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
在真空容器内的中心部具有中心部区域,该中心部区域用 于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛,并具有向旋转台的 基板载置面侧喷出分离气体的分离气体喷出孔;
排气口用于排出扩散到分离区域的两侧的分离气体以及从 中心部区域喷出的分离气体和反应气体。
5.根据权利要求4所述的成膜装置,其中,
中心部区域是由旋转台的旋转中心部和真空容器的上表面 侧划分而成的,被分离气体吹扫。
6.根据权利要求4所述的成膜装置,其中,
中心部区域包括:在真空容器的中心部设置在上表面与底 面之间的支柱;以及围着支柱且绕铅直轴线旋转自如的旋转套 筒;
旋转套筒是旋转台的旋转轴。
7.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
分离区域具有顶面,该顶面位于分离气体供给部的旋转方 向的两侧,在该顶面与旋转台之间形成供分离气体从分离区域 向第1及第2处理区域的方向流动的狭窄的空间。
8.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
排气口经由旋转台的周缘与真空容器的内周壁之间的间隙 而排气。
9.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
分离气体供给部具有从旋转台的旋转中心部及周缘部中的 一方朝向另一方排列的喷出孔。
10.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
排气口设置在分离区域的旋转方向两侧,专用于排出各反 应气体。
11.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
分离区域的顶面的真空容器的外缘侧部位是与旋转台的外 端面相对地弯曲的真空容器的内周壁的一部分,顶面的弯曲的 部位与旋转台的外端面之间的间隙具有防止反应气体进入的尺 寸。
12.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
在分离区域的顶面中,相对于分离气体供给部而处于旋转 台的旋转方向上游侧的部位越靠近外缘,旋转方向的宽度越大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910178340.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种警示街道垃圾箱
- 下一篇:一种装满垃圾时可提示的医用垃圾桶
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的