[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910178562.4 申请日: 2009-09-29
公开(公告)号: CN101715074A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 黄俊 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;许向华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

位于第一衬底处的读出电路;

位于第一衬底处的与所述读出电路电连接的电气结区;

位于在第一衬底上设置的层间电介质中的互连,所述互连与所述电气结区电连接;

位于所述互连上的图像感测器件,其包括第一导电型层和第二导电型层;

接触塞,通过穿过所述图像感测器件的过孔把第一导电型层连接到所述互连;以及

与所述过孔相对应的位于第二导电型层的侧壁上的侧壁电介质。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述读出电路包括晶体管,其中所述电气结区被设置在所述晶体管的源极处,由此提供所述晶体管的所述源极与漏极之间的电势差。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括在所述电气结区和所述互连之间的第一导电型连接,所述第一导电型连接把电气结与所述互连电连接。

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,第一导电型连接被设置在所述电气结区的上部或侧面处。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括在所述侧壁电介质上的填充所述过孔的第三电介质,

其中,所述接触塞与第一导电型层接触。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述侧壁电介质被设置在所述接触塞和第二导电型层之间,而且所述接触塞具有到达第二导电型层的上侧的高度。

7.根据权利要求6所述的图像传感器,还包括所述接触塞上的第三电介质。

8.一种用于制造图像传感器的方法,所述方法包括:

在第一衬底处形成读出电路;

在第一衬底处形成与所述读出电路电连接的电气结区;

在第一衬底上形成层间电介质,并在所述层间电介质中形成互连,所述互连与所述电气结区电连接;

在所述层间电介质上形成包括第一导电型层和第二导电型层的图像感测器件;以及

部分地去除所述图像感测器件的第二导电型层,以形成第一过孔;

在第二导电型层的侧壁上形成侧壁电介质;

使用所述侧壁电介质作为蚀刻掩模,部分地蚀刻第一导电型层和所述层间电介质,以形成使所述互连暴露的第二过孔;以及

形成通过第二过孔把第一导电型层与所述互连电连接的接触塞。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:在所述电气结区与所述互连之间形成第一导电型连接,以把所述电气结区电连接至所述互连。

10.根据权利要求8所述的方法,还包括,在形成所述接触塞后:

去除在与第二导电型层相对应的区域处的一部分接触塞,以形成第三过孔;以及

在第三过孔中形成第三电介质。

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