[发明专利]图像传感器和其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910178563.9 申请日: 2009-09-29
公开(公告)号: CN101715075A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 黄俊 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;李春晖
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

在第一衬底处的读出电路;

在第一衬底上的层间电介质;

在层间电介质中的互连,所述互连电气连接到所述读出电路;

所述互连上的图像感测器件,所述图像感测器件包括第一导电型层和第二导电型层;以及

接触,将所述图像感测器件的第一导电型层和所述互连电气连接,其中,所述图像感测器件的第二导电型层的与所述接触相接触的部分被去除。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述接触被设置在穿过所述图像感测器件、曝露所述互连的第一沟槽中。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述接触包括:

在所述第一沟槽的表面上形成的阻挡金属层;以及

所述阻挡金属层上的接触插塞,所述接触插塞填充所述第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:通过去除所述图像感测器件的第二导电型层的与所述接触相接触的一部分而形成的第二沟槽中的电介质。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括电气连接到所述在第一衬底处的读出电路的电结区,

其中所述电结区包括:

第一衬底处的第一导电型离子注入区;以及

第一导电型离子注入区上的第二导电型离子注入区。

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述读出电路包括晶体管,其中所述电结区设置在所述晶体管的源极处,由此在所述晶体管的源极和漏极之间设置电势差。

7.根据权利要求5所述的图像传感器,还包括位于所述电结区和所述互连之间的第一导电型连接,以将所述电结区电气连接到所述互连,

其中,第一导电型连接设置在所述电结区的上部。

8.根据权利要求5所述的图像传感器,还包括位于所述电结区和所述互连之间的第一导电型连接,以将所述电结区电气连接到所述互连,

其中所述第一导电型连接设置在所述电结区的侧部。

9.一种用于制造图像传感器的方法,所述方法包括:

在第一衬底处形成读出电路;

在第一衬底上形成层间电介质,以及在所述层间电介质中形成电气连接到所述读出电路的互连;

在所述互连上形成包括第一导电型层和第二导电型层的图像感测器件;

形成将所述图像感测器件的第一导电型层连接到所述互连的接触;以及

去除第二导电型层围绕所述接触的部分。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括:在通过去除第二导电型层的部分而形成的第二沟槽中形成电介质。

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