[发明专利]一种多晶硅生产装置及工艺有效
申请号: | 200910178571.3 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102030329A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 周强民 | 申请(专利权)人: | 重庆大全新能源有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03;C01B33/107 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 404000 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 生产 装置 工艺 | ||
1.一种多晶硅生产装置,包括三氯氢硅合成炉、三氯氢硅还原炉、四氯化硅氢化炉、三氯氢硅合成尾气回收装置和三氯氢硅还原尾气回收装置,其特征在于:
所述四氯化硅氢化炉的尾气排出口与所述三氯氢硅合成炉的进料口连接,三氯氢硅还原尾气回收装置的进气口与三氯氢硅还原炉的出气口连接。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产装置,其特征在于,所述三氯氢硅合成尾气回收装置的出气口处连接气体压缩机,气体压缩机的出气口与四氯化硅氢化炉的进料口连接。
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产装置,其特征在于,所述气体压缩机为氢压机。
4.一种使用权利要求1至3中任一项所述的多晶硅生产装置生产多晶硅的工艺,其特征在于,包括:
先进行四氯化硅氢化工序;
将四氯化硅氢化产生的尾气通入三氯氢硅合成工序;
三氯氢硅合成产生的尾气进行回收,所产合成料经过精馏提纯后使得到的高纯三氯氢硅进入三氯氢硅还原工序,高纯四氯化硅回至四氯化硅氢化工序;
高纯三氯氢硅还原制备多晶硅;
高纯三氯氢硅还原产生的尾气进行回收,精馏提纯后使得到的高纯三氯氢硅回用至三氯氢硅还原工序,高纯四氯化硅回用至四氯化硅氢化工序。
5.根据权利要求4所述的工艺,其特征在于,在所述三氯氢硅合成产生的尾气进行回收的步骤中,还包括:将尾气中的氢气回收进入四氯化硅氢化工序,将氯化氢回收进入三氯氢硅合成工序。
6.根据权利要求4所述的工艺,其特征在于,在所述高纯三氯氢硅还原产生的尾气进行回收的步骤中,还包括:将尾气中的氢气回收进入三氯氢硅还原工序,氯化氢回收进入三氯氢硅合成工序。
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