[发明专利]白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉

权利要求书

1.一种碘化物石榴石荧光粉，其是以石榴石架构的稀土氧化物元 素为基质，其特征在于：在该荧光粉材料中添加引入碘离子I^-1及硅离 子Si⁺⁴，阴离子晶格中相互补偿电子，形成如下化学计量公式： (∑Ln)₃Al₂(Al_1-xSi_xO_4-xI_x)₃，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/ 或La及/或Ce及/或Pr及/或Dy，0.0001＜x≤0.10；该荧光粉辐射在一 InGaN半导体异质结的激发下可产生长波位移。

2.根据权利要求1所述的碘化物石榴石荧光粉，其中所述长波位 移为Δ≥25nm。

3.根据权利要求1所述的碘化物石榴石荧光粉，其中在阴离子晶 格中稀土元素离子的组份如下：

0.5≤Y/∑Ln≤0.95；0.01≤Gd/∑Ln≤0.5；0.001≤Tb/∑Ln≤0.05； 0.001≤Lu/∑Ln≤0.05；0.001≤La/∑Ln≤0.05；0.01≤Ce/∑Ln≤0.1； 0.001≤Dy/∑Ln≤0.05；0.0001≤Pr/∑Ln≤0.05。

4.根据权利要求1所述的碘化物石榴石荧光粉，其中所述荧光粉 具有石榴石立方晶架构，在其阴离子晶格中增加碘离子I^-1及硅离子Si⁺⁴的浓度，晶格参数则会增加，

5.一种碘化物石榴石荧光粉的制备方法，其用于制备如权利要求 1所述的碘化物石榴石荧光粉，在添加SiO₂至最初的稀土试剂之后热 加工处理，另外在热加工处理时，在还原气体中引入碘化物成份气体。

6.一种白光发光二极管，其是以半导体异质结InGaN为基质，并 涂有一发光转换层，该发光转换层分布在该异质结辐射表面及棱面上， 且该发光转换层中添加有如权利要求1所述的荧光粉，其特征在于：该 发光转换层中的厚度变化范围为80～200微米，且厚度均匀。

7.根据权利要求6所述的白光发光二极管，其中该发光转换层是 由硅酸盐聚合物与如权利要求1所述的荧光粉组成，其质量关系比例为 92∶8～25∶75。

8.根据权利要求6所述的白光发光二极管，其中在供应激发功率 为W＝1瓦特时，2θ＝60°角，其发光强度为1＞30cd，色温T＞4500K。

9.根据权利要求6所述的白光发光二极管，其中对于功率为1瓦 特的二极管，其光通量F＞110流明，光效能η＞100流明/瓦特。