[发明专利]氮化物类半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具备：

氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和

俯视时具有规定的形状的电极层，该电极层包括：形成于所述氮化物类半导体层的与所述活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于所述第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于所述第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层，

所述第三金属层的厚度为所述第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。

2.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一金属层以局部地覆盖所述氮化物类半导体层的所述表面的方式形成，

所述第二金属层以覆盖所述第一金属层的表面、和未由所述第一金属层覆盖的所述氮化物类半导体层的所述表面的方式形成。

3.如权利要求2所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一金属层形成为Pt岛状分布的状态、或Pt成为网状的状态。

4.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一金属层具有约1nm以上约2nm以下的范围的厚度。

5.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一金属层的厚度比所述第二金属层的厚度小。

6.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第二金属层具有约5nm以上约20nm以下的范围的厚度。

7.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第二金属层的厚度比所述第三金属层的厚度小。

8.如权利要求7所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第三金属层具有约10nm以上约30nm以下的范围的厚度。

9.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述规定的形状为与形成于所述电极层的下方的所述活性层的电流通路的俯视时的形状大致相同的形状。

10.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述规定的形状为与形成于所述电极层的下方的光导波路的俯视时的形状大致相同的形状。

11.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

还具备脊部，所述脊部形成于所述氮化物类半导体层的与所述活性层相反侧的表面侧，且以俯视时具有与所述规定的形状大致相同的形状的方式形成于所述电极层的下方，

由所述Pt构成的第一金属层形成于所述脊部上。

12.如权利要求11所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一金属层的所述氮化物类半导体层侧的宽度比所述第三金属层的与所述氮化物类半导体层相反的一侧的宽度宽。

13.如权利要求11所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述电极层包括沿所述脊部延伸的方向延伸的侧面，

所述侧面以所述电极层的宽度从所述第三金属层朝向所述第一金属层扩大的方式倾斜。

14.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述电极层为欧姆电极。

15.如权利要求14所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

还具备在所述第三金属层的与所述第二金属层相反的一侧形成的焊盘电极，

所述焊盘电极与所述第三金属层的表面接触。

16.如权利要求15所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述焊盘电极含有Au。

17.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述氮化物类半导体层包含p型半导体层，

所述电极层为p侧电极。