[发明专利]氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基外延晶片，其特征在于，

具有：

具有主面的氮化镓衬底，

在所述氮化镓衬底的所述主面上生长的一个或多个氮化镓基半导 体膜，和

在所述氮化镓基半导体膜上生长的具有量子阱结构的有源层；

所述有源层包含阱层，所述阱层包括含有III族元素铟的氮化镓基 半导体，

所述主面的法线与所述氮化镓衬底的C轴所成的斜角，在所述主 面上分布，并且在从所述主面的边缘上的一点向该边缘上的另一点的 通过所述氮化镓衬底的所述主面的中心点的线段上单调地增加，

在从所述一点向所述另一点的所述线段上按顺序排列的n个点处 的所述阱层的n个铟含量，在所述线段上单调地减少，

所述n个点处的所述阱层的n个膜厚，在所述线段上单调地增加。

2.如权利要求1所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，

所述线段上排列有多个氮化物半导体发光器件，

所述多个氮化物半导体发光器件包含所述n个点中的任意一个。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，

所述膜厚是在所述n个点处规定的平均值，

所述平均值由值S/L来规定，其中，S为在与从所述氮化镓衬底 向所述有源层的轴垂直的方向上、用预定的宽度在所述阱层的截面照 片中规定的阱层的截面积，L为所述预定的宽度。

4.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，所 述主面上的第一点处的斜角比所述主面上的第二点处的斜角小，并且， 所述第一点上的阱层的膜厚比所 述第二点上的阱层的膜厚薄，所述第一点和所述第二点位于相互不同 的氮化物半导体发光器件上。

5.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，规 定所述线段，使得<1-100>和<11-20>中的任意一个晶轴和通过所述线段 规定的基准平面与所述主面正交。

6.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，

所述氮化镓衬底具有定向平面和边缘，所述边缘由所述中心点规 定的圆弧构成，

所述定向平面的取向，与<1-100>和<11-20>中任意一个晶体取向 对应。

7.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，

所述氮化镓衬底具有由所述中心点规定的圆形的边缘，

所述氮化镓衬底包含与<1-100>和<11-20>中任意一个晶体取向对 应的标记。

8.如权利要求1或2所述的氮化镓基外延晶片，其特征在于，沿 通过所述氮化镓衬底的所述主面的所述中心点的轴的斜角分布的最大 值和最小值的差为0.7度以下。