[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，包括具有发射侧端部、非发射侧端部和上表面 的谐振器，

所述谐振器包括：

半导体基板；

n型覆层和p型覆层，形成在所述半导体基板上或上方；

有源层，夹设在所述n型覆层和所述p型覆层之间；以及

凸起部分，在所述谐振器轴向上延伸，形成在所述谐振器的所述上 表面上，并且

所述凸起部分包括：

第一端部，设置在所述发射侧端部；

第二端部，设置在所述非发射侧端部，并且具有与所述第一端 部的宽度相同的宽度；

锥形部分，使得所述凸起部分以锥状方式从所述第一端部向所 述第二端部减少，

小宽度部分，设置在所述第二端部相对于所述锥形部分的一 侧，且宽度不变，以及

台阶部分，连接所述小宽度部分和所述第二端部，并且使得所 述凸起部分的宽度以台阶状方式改变。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述谐振器中的所述发 射侧端部和所述非发射侧端部的每一个上设置非电流注入区域。

3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中所述凸起部分中的所述 台阶部分形成在所述非发射侧端部设置的所述非电流注入区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其中在所述发射侧端部和所 述非发射侧端部的每一个上设置的所述非电流注入区域的至少一部分中，所 述有源层允许具有一部分形成为带隙大于设置在该非电流注入区域之间的 谐振器部分的带隙。

5.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中

在所述发射侧端部上设置的所述非电流注入区域中，所述凸起部分中的 所述第一端部具有宽度不变的部分，并且，

所述凸起部分中的所述台阶部分形成在所述非发射侧端部上设置的所 述非电流注入区域中。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述凸起部分的宽度最 小值在0.5μm以上3.0μm以下。

7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述凸起部分的宽度最 大值为所述凸起部分的宽度最小值的1.2倍以上3.0倍以下。

8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

非电流注入区域至少设置在所述谐振器中的所述非发射侧端部，并且

所述锥形部分的长度为所述谐振器长度的0.2倍以上，并且等于或小于 从所述谐振器的长度中减去设置在所述非发射侧端部的所述非电流注入区 域的长度所获得的长度。

9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述有源层包括GaInP 和AlGaInP之一。

10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述有源层包括GaAs 和AlGaAs之一。

11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中所述有源层包括GaN 和InGaN之一。

12.根据权利要求1所述的半导体激光装置，振荡在两个或者更多的不 同波长上。