[发明专利]半导体器件及其制造方法和半导体模块制造方法有效

专利信息
申请号: 200910178994.5 申请日: 2009-10-09
公开(公告)号: CN101719486A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 林义成 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/14;H01L23/482;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;郑菊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

布线衬底,具有第一表面、形成于所述第一表面之上的多个键 合引线、与所述第一表面相反的第二表面以及形成于所述第二表面 之上的多个焊区;

半导体芯片,具有第三表面、形成于所述第三表面之上的多个 电极焊盘以及与所述第三表面相反并且装配于所述布线衬底的所述 第一表面之上的第四表面;

多个传导构件,将所述半导体芯片的所述电极焊盘与所述布线 衬底的所述键合引线分别电连接;以及

多个外部端子,分别设置于所述布线衬底的所述焊区之上,

其中在所述布线衬底的所述第二表面的平面图中的形状包括四 边形,所述四边形具有第一边和在所述平面图中与所述第一边相交 的第二边;

其中所述焊区包括布置成多行并且沿着所述布线衬底的所述第 二表面的所述第一边和所述第二边中的每个边布置的第一焊区组, 以及在所述平面图中布置于所述第一焊区组以内并且沿所述布线衬 底的所述第二表面的所述第一边和所述第二边中的每一边布置的第 二焊区组,

其中在所述第二焊区组中沿所述焊区的所述第一边在第一方向 中的节距大于在所述第一焊区组中在所述焊区的第一方向中的节 距;以及

其中在所述第二焊区组中沿所述焊区的所述第二边在第二方向 中的节距大于在所述第一焊区组中在所述焊区的第二方向中的节 距。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中在所述第二焊区组中在所述焊区的第一方向中的节距大于 在所述第一焊区组中在所述焊区的第二方向中的节距;以及

其中在所述第二焊区组中在所述焊区的第二方向中的节距大于 在所述第一焊区组中在所述焊区的第一方向中的节距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一焊区组与 所述第二焊区组之间的距离大于所述第一焊区组中的所述行之间的 间隔。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述布线衬底的热 膨胀系数大于所述半导体芯片的热膨胀系数。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,

其中电路元件形成于所述半导体芯片中,

其中所述电极焊盘包括各自电耦合到所述电路元件的多个信号 电极焊盘,并且

其中各所述信号电极焊盘电耦合到所述第一焊区组和所述第二 焊区组中的任一焊区组。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,

其中所述第二焊区组中的所述焊区布置成多行,

其中属于所述第一焊区组中的相邻行的所述焊区被相互对准地 布置,并且

其中属于所述第二焊区组中的相邻行的所述焊区被相互失去对 准地布置。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,

其中在与所述行的延伸方向正交的方向上查看时,属于所述第 一焊区组中的相邻行的所述焊区相互重叠,并且

其中在与所述行的延伸方向正交的方向上查看时,在属于所述 第二焊区组中的各行的所述焊区之间,定位属于与所述行相邻的行 的所述焊区。

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