[发明专利]掩模相关基板的洗净方法、洗净方法及洗净液供给装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种从掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板的洗净方法，特别涉及一种用以除去附着在掩模相关基板的表面上的硫酸离子、或是抑制微粒的发生的技术。

背景技术

以IC、LSI、VLSI等的半导体集成电路的制造为首，被使用于广范围的用途中的掩模，基本上，是根据以下方式来获得：在透光性基板(掩模用基板)上，先成膜由金属或含有金属化合物的薄膜所构成的遮光膜，而作成空白掩模，然后使用电子束微影法来将该空白掩模的该遮光膜，加工成规定的遮光膜图案。

近年来，随着半导体集成电路的高集积化等的市场要求，图案的微细化也急速地进展，相对于此，为了提高曝光步骤中的光阻分辨率，是根据谋求曝光波长的短波长化及增大透镜的开口数来加以对应。

在上述半导体集成电路的制造等之中所使用的微影法，是使用一种掩模，是作为原图而将电路图案转印在光阻上，且相对于曝光光源，在透明的基板上，根据金属化合物而形成有遮光部。

但是，若掩模逐渐使用于极微细的图案的曝光时，即便是极微细的异物及雾状(模糊不清)也会成为缺陷，所以掩模及用以制造掩模的材料，要求极高的洁净性。

掩模，不论是具有将曝光光源几乎完全地遮断的遮光部的二进制掩模；或是一边使光减衰一边相对于光透过部使光的相位反转，并根据曝光光源的绕射(diffraction)来防止明暗对比降低的半色调相位移掩模(halftone phaseshift mask)等，都已经实用化。这些掩模，是在石英或CaF₂等的透明基板上，具有铬化合物或金属硅化合物的遮光部。

又，掩模，是先在上述般的透明基板上，成膜上数遮光膜材料的薄膜，然后根据电子束微影法等，在其上形成光阻图案，并根据蚀刻来将图案转印在遮光材料上这样的顺序，而制作出来，但是如上所述，由于要求极高洁净度，所以在各步骤中，要进行极严格的洗净。

然而，作为曝光光源，若使用ArF准分子激光这样的高能量线，则由于残留在基板上的硫酸离子与铵离子而会生成硫酸铵的微小结晶，且发现此微小结晶会变成微粒，并作为缺陷来计算其数量，因而成为问题(例如参照日本特开2005-202135号公报)。利用加温后的纯水来冲淋掩模材料的方法，本案申请人已经在日本特开2004-19994号公报中提出申请，此种使用温水的方法，相较于使用常温的水来进行洗净的情况，除去硫酸离子的效果高，此已经揭示于日本特开2004-53817号公报中。

然而，即便是如此地使用加温后的纯水来进行洗净的情况，在基板干燥后，也会发生微粒。

又，用以制造空白掩模的石英、CaF₂等的基板、或是空白掩模的洗净，当使用界面活性剂来进行洗净之后，使用惰性水或臭氧水来进行多段的洗净，并根据需要，在各阶段中，使用超纯水来进行冲淋(例如参照日本特开2001-96241号公报或特开2002-151453号公报等)。

另一方面，即便是如上述般地进行多段的洗净后的情况，所得到的基板，并非一定是洁净的，而是常会发生微细异物。例如，当干燥方法不适当的情况，也有在使水滴干燥时，发生污染(异物)的情况(参照日本特开2004-19993号公报)。

发明内容

本发明是基于此种问题点而发明出来，其目的是提供一种洗净方法及用以将洗净液供给至洗净装置中的洗净液供给装置；该洗净方法，在洗净从掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板的情况，能利用简便的方法来提高对于硫酸离子的洗净效率，进而能极度地减少微小异物(微粒)的发生量。

为了解决此问题，本发明提供一种掩模相关基板的洗净方法，其特征在于：

当根据纯水来洗净从被硫酸离子污染后的掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板时，

对在该洗净中所使用的纯水，预先进行将溶解气体脱气的脱气步骤。

若是此种本发明的掩模相关基板的洗净方法，当利用纯水来洗净被硫酸离子污染后的掩模相关基板时，由于对在洗净中所使用的纯水，预先进行将溶解气体脱气的脱气步骤，所以能供给脱气后的纯水来作为洗净液，可有效率地除去例如以大气中的二氧化硫等为原因而附着在掩模相关基板上的硫酸离子。并且，能简便地进行。

以往，为了除去硫酸离子，也有使用将纯水加温的方法，但是若是使用本发明，即便没有特意地加温纯水，也能充分地除去硫酸离子。

因此，特别是能显著地抑制起因于硫酸离子而发生的微粒，而可提供一种高质量的掩模相关基板。