[发明专利]半导体器件及系统

权利要求书

1.一种半导体器件(400)，包括：

第一导电类型的第一区域(402)；

第二导电类型的第二区域(404)，邻近于所述第一区域设置以形 成p-n结结构；

所述第二导电类型的电阻修改区域(406)；所述电阻修改区域 (406)包括沿着电阻修改区域的厚度方向的变化的掺杂剂浓度分布区 域；和

所述第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置成在所述电阻 修改区域与所述第二区域之间并且与所述电阻修改区域和所述第二区 域相接触，其中，所述场响应修改区域包括沿着所述场响应修改区域 的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型 是p型，而所述第二导电类型是n型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场响应修改区 域进一步包括注入电阻区域(708)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场响应修改区 域的所述变化的掺杂剂浓度分布包括从第一浓度值到第二浓度值的单 调变化的掺杂剂浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述电阻修改区 域与所述场响应修改区域之间、以及所述场响应修改区域和所述第二 区域之间的界面附近的掺杂剂浓度分布具有负斜角分布，并且其中， 在所述第一区域与所述第二区域之间的界面附近的掺杂剂浓度分布具 有正斜角分布。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域、所 述第二区域、所述场响应修改区域和所述电阻修改区域都独立地包括 下述材料，所述材料包括碳化硅、氮化镓、砷化镓、硅、磷酸铟、磷 化镓、锗或其组合，并且其中，所述第一区域、所述第二区域、所述 场响应修改区域和所述电阻修改区域都包括下述掺杂剂，所述掺杂剂 包括铝、氮、硼、磷、镓、氧、钒、钛、锗、硅、碳、镁、锌、锑、 铁或其组合。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：场板(752)， 设置成覆盖所述半导体器件的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：钝化层(754)， 设置成覆盖所述半导体器件的至少一部分。

9.一种电子系统(800)，包括：

半导体器件(802)；和

用于反向偏置所述半导体器件的装置(804)；

其中，所述半导体器件包括：

第一导电类型的第一区域；

第二导电类型的第二区域，邻近于所述第一区域设置以形成 p-n结结构；

所述第二导电类型的电阻修改区域；所述电阻修改区域包括 沿着电阻修改区域的厚度方向的变化的掺杂剂浓度分布区域；和

所述第二导电类型的场响应修改区域，设置在所述电阻修改 区域与所述第二区域之间，其中，所述场响应修改区域包括沿着 所述场响应修改区域的厚度方向的变化的掺杂剂浓度分布。