[发明专利]移位寄存器、显示装置及移位寄存器的驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种移位寄存器、使用该移位寄存器的显示装置及移 位寄存器的驱动方法，尤其涉及仅具有NMOS或PMOS薄膜晶体管中 的任一种晶体管的移位寄存器、使用该移位寄存器的显示装置及移位 寄存器的驱动方法。

背景技术

近年来，以液晶显示装置为代表的平面显示装置由于薄、轻且功 耗低，所以被用作各种设备的显示装置。最近，为了实现更薄更轻而 且低成本，提出了下述技术，该技术与以往的非晶硅薄膜晶体管相比， 使用电子迁移率较高的低温聚硅酮薄膜晶体管构成驱动电路，将该驱 动电路一体地形成在玻璃基板上。

一般，驱动电路采用组合了NMOS晶体管和PMOS晶体管的 CMOS(Complementary MOS)电路。但是，CMOS的制造工艺具有工 序数量多、制造成本高的问题。作为解决该问题的方法，提出了只由 NMOS晶体管或PMOS晶体管中的任一种极性的晶体管构成的驱动电 路。在专利文献1中记载了只由PMOS晶体管构成的移位寄存器(专 利文献1的图2)。专利文献1的移位寄存器由PMOS晶体管T1～T8 构成，是通过输入电源VDD、输入信号IN、时钟信号C1～C3产生输 出信号OUT的电路。

另外，对液晶显示装置的高分辨率化的要求日益强烈。这是因为 通过提高分辨率，一次能够显示的信息量增多，从而液晶显示装置的 附加值提高。

显示装置的像素结构一般由显示红色的子像素、显示绿色的子像 素和显示蓝色的子像素构成，各子像素沿显示面的横方向排列。这种 像素结构被称为纵向排列。另一方面，也提出了沿显示面的纵方向排 列的被称为横向排列的像素。在专利文献2中记载了横向排列的像素 结构(专利文献2的图2)。参照专利文献2的图2，像素110沿纵方 向排列R、G、B的子像素120。驱动各子像素120的扫描线311的扫 描电路350，具有输出Y1-R、Y1-G、Y1-B～Y320-R、Y320-G、Y320-B。 液晶面板100的有效像素在横方向上是240、在纵方向上是320，所以 扫描电路350具有纵方向的像素数320的3倍的输出。

另外，在专利文献3中记载了有关横向排列的像素结构的其他技 术(专利文献3的图2和图3)。参照专利文献3的图2和图3，显示 像素10沿水平方向被划分为左眼用和右眼用的子像素，沿垂直方向被 划分为R、G、B用的子像素。即，一个像素由6个子像素构成。驱动 显示像素10的栅极线驱动电路8具有Y(1)～Y(1440)的输出。即， 栅极线驱动电路8具有纵方向的像素数480的3倍的输出。

另外，在专利文献4中记载了下述技术，该技术在能够进行部分 显示的扫描线驱动电路中，由数量较少的元件实现部分显示功能(专 利文献4的图4)。

专利文献1：日本特开2002-313093号公报(图2)

专利文献2：日本特开2006-317566号公报(图2)

专利文献3：日本特开2006-030512号公报(图2、图3)

专利文献4：日本特开2008-140490号公报(图4)

下面的分析是由本发明者完成的。在根据上述专利文献记载的技 术实现高精细或具有横向排列结构的像素的显示装置时，存在以下的 问题。

一般，期望像素的配置间距与构成扫描电路的移位寄存器的配置 间距是相同长度。这已经在传递从扫描电路输出的信号的电气布线的 布局方面得到明确。伴随显示装置的高分辨率化，像素的配置间距与 移位寄存器的配置间距都变小。即，参照图21，伴随像素21的配置间 距的缩小，移位寄存器1的电路宽度L增大。在像素结构是横向排列 结构时，移位寄存器的配置间距是像素的配置间距的1/3，所以导致L 增大。由于L增大，在显示装置中产生配置有扫描电路的一侧的边框 增大的问题，根据制作工艺的限制，也有可能产生不能布置电路的问 题。因此，根据上述专利文献记载的技术，在想要实现高精细或像素 结构为横向排列结构的显示装置时，很难同时实现窄间距化和窄边框 化。

因此，在高精细或像素结构为横向排列结构的显示装置中，同时 实现窄间距化和窄边框化成为课题。

发明内容